硅表面上的纳米量子点的自组织生长

纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景     

300W S波段固态发射机

本文介绍了一种用于雷达和医学领域的，工作在2．9—3．1GHz的300W紧凑型固态发射机的结构和性能。该发射机包含三个主要部分：PLL—DDS合成器、脉冲成型电路和多级C类放大器。其峰值功率为300W，脉冲宽度50μs，占空比5％，这些指标是通过合成两个使用均衡结构Si—BJT(硅双极型晶体管)的160W放大器的输出而得到的。输出功率电平通过支流电源模块控制在6dB动态范围内。5％占空比时，在整个输出功率的动态范围内，射频脉冲宽度的功率衰减小于0．2dB。在包含有频率牵引效应和1KHz时—75dBc／Hz的相位噪声条件下，合成VC0可以达到超过10^-7的长期稳定性。另外，频谱特征也令人满意。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

日本半导体硅市场

2003年日本半导体硅单晶产量为4875t，比上年增加13％。需求为5162t，比上年增加16％。需求的增长得益于世界半导体市场从2003年2月开始的复苏和之后的顺利增长，增长率为17．4％。其中，起主要拉动作用的是半导体器件中的闪存、动态随机存取存储器、电荷耦合器、CMOS传感器，以及最终产品中的个人电脑关联产品、手机、液晶和等离子薄型显示器、数码相机、DVD录像机等数码家电。     

水钢1^#高炉强化冶炼实践

水钢1^#高炉大修扩容后，通过采取改善原燃料，合理调整上、下部制度，低硅冶炼，精细化操作等措施．高炉冶炼不断强化。2002年10月利用系数达到2．536t／m^3．d。     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

锰硅合金生产中锰矿搭配的最优决策

作者运用线性规划理论建立起锰硅合金生产中锰矿最优搭配的数学模型，并说明最优配比的求解方法及经济意义，提出了最优搭配准则。