苏里格西致密储层压裂改造液体技术研究与应用

针对苏里格西部分天然气井压裂改造过程中加砂困难,平均砂浓度难以提高的问题,通过研发一种新型交联剂和耐温增强剂,调整超低浓度瓜尔胶压裂体系中各添加剂的配比,对体系性能进行优化。最终确定了QBS-1交联剂和耐温增强剂WZ-2的新配方,并对其结构进行红外光谱表征,室内评价表明该瓜尔胶压裂液体系具有良好的交联性能、耐温能力、携砂性能及破胶性能,能满足现场压裂改造施工需求。     

核电厂控制棒价值测量评价方法改进研究

控制棒价值测量是核电厂物理试验的一项重要的内容.试验测量得到的棒价值需要与理论值进行比较,确保其偏差小于要求的限值.该试验不但验证堆芯满足核设计和技术规格书的要求,以保证安全分析结果的有效性.国内各压水堆电厂的大量试验数据表明,传统的控制棒计算方法得到的理论数据用于测量评价往往出现较大偏差.本文通过对传统的控制棒计算方...     

微波消解/ICP-AES法测定钢中全硼

试验了微波消解/ICP-AES法测定钢中全硼的主要测量条件,提出采用盐酸-硝酸混合酸、硫酸、磷酸溶解样品,以ICP-AES法在合适的条件下进行测定的分析方法,可获得较好的测量结果.通过对不同标准样品进行测量,其测量结果与标准值相符,均在国家标准允许误差范围内.该方法具有快速、高效等优点,能满足科研及生产中全硼的测量要求.     

浅谈铝电解节能降耗措施

针对某铝电解生产制定出一系列行之有效的节能降耗措施,并利用新技术对设备进行技术改造,从而达到节能降耗,提高企业经济效益的目的。     

Effects of Chloride Ion on the Texture of Copper and Cu-ZrB2 Coatings Electrodeposited from Copper Nitrate Solution in Different Plating Modes

For the first time, the texture of copper and Cu-ZrB2 coatings produced from copper nitrate solution was studied. Chloride ion shows different effects on the deposit texture under direct current （DC） and pulse current （PC） conditions. Copper deposits are strongly 〈220〉 textured in DC plating with and without chloride ion. While in PC condition, the predominant texture shifts from 〈220〉 to 〈200〉 as the chloride ion concentration exceeds 20 mg/l. The addition of ZrB2 particles enhances the cathodic polarization of copper deposition, which improves the growth of （111） plane. However, this improvement can be eliminated by further addition of chloride ion.     

广西分公司160kA电解槽硼化钛阴极涂层试验

简要介绍了硼化钛阴极涂层的理论依据和现场实施效果,认为硼化钛涂层可以延长槽寿命,延缓炉底压降的上升,具有明显的节能效果。     

翁泉沟硼铁矿床成因探讨

翁泉沟硼铁矿床赋存于早元古宙辽河群里尔峪岩组地层中。原岩为一套在裂谷环境下形成的中酸性火山岩及碳酸盐岩。矿体的容矿岩石是镁贡大理岩。矿体厚度与容矿岩石厚度呈正相关关系。硼、铁矿是在火山喷气和深海沉积作用下形成的迭生层控火山沉积变质矿床。     

锥齿轮注射模主要零部件的热处理

根据锥齿轮的结构和加工特性,简要说明了锥齿轮注射模具的结构特点和主要零部件热处理方法的选择,选择能提高模具寿命的最优热处理方法。     

蓝色荧光粉K(Na)BaBP2O8:Eu2+的制备与发光特性

采用高温固相法在还原气氛中合成K(Na)BaBP₂O ₈:Eu²⁺系列硼磷酸盐蓝色荧光粉,研究煅烧温度 以及用Na⁺掺杂替换K⁺对荧光粉晶体结构和发光性能的影响。利用热重-示差扫描量热 (TG-DSC)、X射 线衍射(XRD)、荧光(PL)光谱和色坐标(CIE)等手段确定了 荧光粉的合成温度,并对荧光粉的晶体 结构和发光性能进行表征。结果表明,800～875℃制备的KBaBP₂O ₈:0.03Eu²⁺荧光粉具有KBaBP₂O₈纯相 结构,属于四方晶系,空间群I42d,荧光粉的最佳合 成温度为875℃。K(Na)BaBP₂O₈:Eu²⁺系列荧光粉 可被波长为365nm的近紫外光有效激发,与InGaN芯片( 350~410nm)相匹配;其发射光谱为 400~650nm的不对称宽带,发射峰位于456nm 左右,对应Eu²⁺的4f^65d1-4f⁷-5d⁰跃迁。利用van Uitert经 验公式计算了Eu²⁺取代KBaBP₂O₈中Ba²⁺和K⁺时所占的晶体学格位,得出 449.4nm、439.1nm两个发射属 于Eu²⁺占据8配位的Ba²⁺和K⁺的5d-4f跃迁发射 ,511.0、506.7nm两个发射属于Eu²⁺ 占据6配位的 Ba²⁺和K⁺的5d-4f跃迁发射。用适量Na⁺替换K⁺可 以明显提高荧光粉的发光强度,其最佳掺杂摩尔比例为 Na/K=0.35/0.65,此时荧光粉的主晶相没有改变,但XRD衍射峰向大角度方向偏移。K(Na)Ba BP₂O₈:Eu²⁺ 荧光粉的CIE点可落在从蓝光到蓝白光区域,在近紫外LED应 用中可以根据实际需要灵活选择。     

外延用300mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究

研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷--体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺B Si片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小.研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素.