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11.
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。  相似文献   
12.
本文简述了屏蔽电泵在中国石油大连石化公司连续重整装置的运行情况,对其在使用中易产生汽蚀的现象进行了详细的分析,并从几个方面提出了具体的改进措施。  相似文献   
13.
徐迎晖 《电子技术》2006,33(3):60-62
MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。  相似文献   
14.
15.
回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
从铁磁质的磁化强度一般表示式出发,探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响,导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。  相似文献   
16.
柳泉行 《真空》1998,(3):34-36
本文介绍单相负载适用在三相电网中的新型产品——T接磁调的关键技术,阐述了T接磁调的基本工作原理、结构特点和优越性。  相似文献   
17.
近年来,以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素,重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数,并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。  相似文献   
18.
日本磁吸附爬壁机器人的研究现状   总被引:24,自引:3,他引:21  
潘沛霖  韩秀琴 《机器人》1994,16(6):379-382
本文概述了磁吸附爬壁机器人的研究现状,介绍了各种移动力方式的磁吸附爬壁机器人的应用场所及优缺点,为今后的研究提供了参考。  相似文献   
19.
20.
《电子科技》2002,(3):4-4
我国研制出手机使用的纳米电磁屏蔽材料,可以阻挡手机的辐射。 北京晚报报道,中国科学院理化技术研究所研制的环保型纳米导电涂料,和现在的微米级产品相比,新材料由于使用的金属颗粒粒度小,可以提高手机的抗干扰能力,使手机的信号更清晰,同时还能大大降低电磁波辐射。 据指出,使用纳米材料可以使电磁屏蔽材料的电阻降低三分之二,成本下降五分之一,并解决涂布过程中的管道堵塞问题。 报道称,这项技术还可以应用于电脑、电视、军工等电子、电器产品上,从而大大减少电磁辐射。 该所还与海尔集团合作开发了纳米抗菌手机外壳技术。 …  相似文献   
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