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31.
CMOS光接收机主放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。 相似文献
32.
33.
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
34.
MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。 相似文献
35.
回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
从铁磁质的磁化强度一般表示式出发,探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响,导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。 相似文献
36.
推导了材料,几何形状,载荷均为随机变量时Neumann随机有限元法的基本方程,提出以其计算得到的结构响应的各阶矩为基础,用级数来拟合结构响应的概率密度函数,并通过数值积分计算结构的可靠度。对折叠弹翼的结构可靠度分析表明,本文方法可利用较小的样本容量获得较高的计算精度,并具有较高的计算效率。 相似文献
37.
本文介绍单相负载适用在三相电网中的新型产品——T接磁调的关键技术,阐述了T接磁调的基本工作原理、结构特点和优越性。 相似文献
38.
近年来,以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素,重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数,并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。 相似文献
39.
日本磁吸附爬壁机器人的研究现状 总被引:24,自引:3,他引:21
本文概述了磁吸附爬壁机器人的研究现状,介绍了各种移动力方式的磁吸附爬壁机器人的应用场所及优缺点,为今后的研究提供了参考。 相似文献
40.