CMOS光接收机主放大器设计

利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。     

有互感和电源的电容耦合电路的量子涨落

通过正则变换和幺正变换的方法研究了有互感和电源存在的情况下的介观电容耦合电路的量子涨落。结果表明电荷和电流的量子涨落与电源无关。当电路元件确定时，如果L1／L2的值很大或很小，耦合对涨落的影响很大。互感从有到无的过程中，回路1中电流的涨落和回路中2中电荷的涨落有明显的变化。换句话说，互感的有无对涨落的大小起着举足轻重的作用。     

MTJ MRAM的特性分析与设计

对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。     

磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用

MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。     

回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响

从铁磁质的磁化强度一般表示式出发，探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响，导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。     

某型导弹折叠弹翼的结构可靠性分析

推导了材料，几何形状，载荷均为随机变量时Ｎｅｕｍａｎｎ随机有限元法的基本方程，提出以其计算得到的结构响应的各阶矩为基础，用级数来拟合结构响应的概率密度函数，并通过数值积分计算结构的可靠度。对折叠弹翼的结构可靠度分析表明，本文方法可利用较小的样本容量获得较高的计算精度，并具有较高的计算效率。     

T型接线磁性调压器的设计探讨

本文介绍单相负载适用在三相电网中的新型产品——Ｔ接磁调的关键技术，阐述了Ｔ接磁调的基本工作原理、结构特点和优越性。     

薄膜电感与薄膜变压器的开发及其应用

近年来，以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素，重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数，并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。     

日本磁吸附爬壁机器人的研究现状

本文概述了磁吸附爬壁机器人的研究现状，介绍了各种移动力方式的磁吸附爬壁机器人的应用场所及优缺点，为今后的研究提供了参考。