具有微观应变纳米晶体铜的HRTEM研究

纳米晶体材料因具有许多不同于常规晶体材料的性能而受到广泛关注。已有研究表明 :纳米晶体材料的性能不仅与其晶粒尺寸有明显的依赖关系 ,而且会因纳米晶粒之间的晶界区结构的不同有非常明显的变化 ,即纳米晶体材料的晶粒及晶界微观结构对其性能产生重要的影响。近期在用Ｘ射线衍射对磁控溅射法制备的纳米晶体Ｃｕ的研究中发现[1] :制备态的纳米晶体Ｃｕ样品中存在着较大微观应变 (0 2 4 % ) ;经 110℃ 30ｍｉｎ退火后 ,样品的晶粒尺寸无明显长大 ,但微观应变明显减小 (0 14 % )。与制备态的纳米晶体Ｃｕ相比 ,退火态样品的热膨胀系数增…     

同轴磁控溅射离子镀膜在装铈膜和超硬膜中的应用

同轴式磁控溅射离子镀膜机是磁控溅射和离子镀膜相结合的一种镀膜设备。从不小于1.5×2m 大面积基底上所镀膜层的均匀性和实际应用的可行性来看,是一种较好的成膜手段。1.国内现状目前国内生产蒸发式镀膜设备的厂家不少。这种方法是以高纯铝丝或铁铬镍合金丝等作为膜材,在大面积上镀镜或镀建材玻璃膜。普遍认为蒸发膜存在着如下问题:     

掺锡氧化铟膜在二次表面镜上的应用

掺锡氧化铟膜(ITO 膜)是一种具有良好导电性能,在太阳光谱区有很高光学透过率和抗辐照的涂层,它还具有硬度高、耐磨损等特点;这种涂层在航天器上已有很广泛的应用。我们采用磁控溅射新工艺,将 ITO 膜用作为二次表面镜(SSM)前表面的抗静电防护层。给出 SSM 用 ITO 膜的制备工艺及其对膜的光、电性能的影响,还给出 ITO 膜对 SSM 光(热学性能影响的研究结果,提出了 SSM 用 ITO 膜的设计要求和相关的制备工艺。     

热氧化磁控溅射金属锌膜合成一维ZnO纳米棒

利用退火热氧化射频磁控溅射金属锌膜的方法在Si(111)衬底上制备了一维Zn O纳米棒,同时用多种测试手段对样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究.XRD,SEM和TEM的测试结果表明,Zn O纳米棒为单晶相六方纤锌矿结构,呈头簪状向外发散生长,直径在30～60 nm左右,其长度可达几μm.PL 谱测试结果表明:在波长为280 nm光的激发下,在372 nm处有强的近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射.说明合成的一维Zn O纳米棒的结晶质量和光学性能优良     

磁控溅射沉积的Ge/ZnO复合多层膜的光致发光特性研究

采用交替溅射Ge和ZnO靶的方法在Si(100)单晶基片上沉积了Ge/ZnO复合多层膜,并对其在空气中不同温度下进行了快速加热处理.在高温处理中部分Ge成分会被氧化转变成Ge的氧化物,XRD结果表明所制备的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶颗粒组成的复合薄膜,且随着温度的升高晶粒的尺寸加大,结晶度提高.光致发光谱的测量显示,经过高温处理过的Ge/ZnO复合多层膜可以在395nm左右发出强的紫光,随着温度的增加紫峰变尖锐且强度大大提高,并有590nm的黄发光峰出现.紫峰的增强是由于薄膜结晶度提高导致激子复合增加的结果,黄峰是由于Ge颗粒引起的局域态相关的跃迁而产生的.     

Y1—xDyxBa2Cu3O7—δ（x=0.03,0.05）超导薄膜制备及性能

叙述了用双靶直流磁控溅射仪制备Ｙ１－ｘＤｙｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０．０３，０．０５）超导薄膜的工艺，按其工艺的薄膜Ｔｃ均大于８８Ｋ，随着ｘ值增加，Ｊｃ有上升趋势，ＸＲＤ，ＳＥＭ的结果表明镝掺杂膜有很好的ｃ轴取向，讨论了高温超导体钉扎机制。     

氧化锌薄膜研究进展

本文介绍了制备ＺｎＯ薄膜的常见方法和影响薄膜结构的主要因素，并已在Ｓｉ衬底上利用直流反应磁控溅央求地制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ薄膜。