退火对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制

利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350 nm波长紫外光照下电流增加,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在370 nm附近。     

形状记忆合金的开发

利用燃烧合成法制造的镍钛形状记忆合金〔1〕　镍钛形状记忆金属间化合物 (合金 )由于其构成元素之间的比重差很大 ,在传统熔炼过程中容易发生重力偏析所以很难制得成分均匀的材料。因此 ,发展了利用其构成元素单体粉末之间的反应来制取这种金属间化合物的燃烧合成技术。但是这种金属间化合物较之铁系金属材料 ,其塑性加工极难 ,因此 ,研究了利用燃烧合成法制得的镍钛形状记忆合金的塑性加工性能。研究用的原材料粉末是工业上最常用的粒度 <15 0 μm的纯钛粉和粒度为 8～ 15 μm的纯镍粉 (INCO镍 )。以Ni过量的TiNi组成比配好的粉末混合…     

Structural stability of single-layered LaNi4.25Al0.75 film and its electrochemical hydrogen-storage properties

AB5-based hydrogen storage thin fdms （LaNi4.25Al0.75）, deposited on Cu substrate by dc magnetron sputtering were investigated in this study. X-ray diffraction （XRD） revealed that the microstructure of the layer was in crystal form. SEM and AFM analyses proved that the film appeared to be rather rough with numerous randomly sized pores of approximately 15-40 in nm diameter. Structural stability of the film was examined by the combined analyses of DSC, XRD, and SEM, which indicated that this film maintained its structural stability below 500 K or so, and a network structure was observed on the film after being heated at 700 K for 30 min. Electrochemical hydrogen-storage properties of the films were investigated by simulated battery tests. It was found that single-layered LaNi4.25A10.75 film exhibited electrochemical hydrogen-storage properties similar to typical AB5 alloys in bulk, and the maximum discharge capacity of the film was about 220 mAh/g. After 20 charge/discharge cycles, small needle-shaped aluminium oxide was formed on some fractions of the film surface.     

CoCu合金颗粒膜的室温磁电阻效应

利用射频磁控溅射方法制备ＣｏＣｕ合金不同成分的亚稳态薄膜。研究了ＣｏＣｕ合金颗粒膜的磁电阻随真空退火温度，外磁场以及组元成分而变化的规律，经真空退火后，ＣｏＣｕ颗粒膜中析出了Ｃｏ颗粒呈面心立方结构。这种在非磁性Ｃｕ的基体上和具有磁性Ｃｕ偏聚态的纳米级颗粒膜具有巨磁阻（ＧＭＲ）效应，ＣｏＣｕ颗粒膜的ＧＭＲ效应及磁性能均取决于Ｃｏ颗粒的尺寸及数量。     

磁控溅射制备In2O3-SnO2薄膜与分析

选择In2LO3与SnO2质量比11的靶材为溅射源,采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜,讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响,深入分析了其机理.研究结果表明溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率,并确定最佳氩气压强为0.2 Pa,厚度为120 nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90%;氧流量能明显改变薄膜的性能,随着氧流量从0增加10 L/min(标准状态下,下同),载流子浓度(N)则由3.2×1020降低到1.2×1019/cm3,N值的变化与ITO薄膜光学禁带宽度(Eg)的变化密切相关.振子模型与实验结果吻合,并确定了ITO薄膜的等离子波长(λp=1 510 nm).薄膜随方阻减小表现出明显的"B-M"效应.通过线性外推,建立了直接跃迁的(αE)2模型,并确定了薄膜的Eg值(3.5～3.86 eV).     

采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备

将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的中央位置。真空室的压强为10—100毫乇。磁桶由永磁铁所组成的磁铁阵列形成，在真空室壁面后面，产生一个多磁力线交点的磁场，推斥来自等离子体、朝着真空室壁面方向运动的带电粒子，从而，增强了对等离子体的约束，提高了等离子体密度、等离子体的均匀性及涂敷材料的离子化比例。     

镀铬技术进展

镀铬层具有多方面的优异性能,在工业上已得到了广泛的应用。镀铬技术大体上可以分为电镀铬和真空镀铬。本文侧重于介绍真空镀铬技术。对于工业上通用的电镀铬技术及其近年来的进展也作了概括介绍。并对电镀铬和真空镀铬技术的特点作出了对比说明,还讨论了两种技术的未来发展趋势。     

Theoretical prediction and experimental realization of transition metal doped rutiles as diluted magnetic semiconductors

1. Introduction The new research area of ‘spintronics’ seeks to extend the properties and applications of electronic devices by making use of the spin of electrons in ad- dition to their charge. The development of magnetic semiconductors would be compatible with standard semiconductor technology and open new opportuni- ties. The so-called diluted magnetic semiconductor (DMS) is used to denote the no magnetic semicon- ductor doped with magnetic ions, and there have been considerable progress…     

非平衡平面磁控溅射阴极及其镀膜装置

本发明公开了一种C3N4／MN多层复合超硬薄膜以及合成此膜的装置和广方法，该膜包括NM过渡层，C3N4／MN主耐磨层和MN表面减磨层，具有很高的显微硬度，采用本发明的装置和方法制备该膜，时间短，效率高，合成成本低，其显微镜硬度高达40－55MPa，因此在高速工具钢和其他耐磨涂层工件上镀制氮化碳超硬薄膜，具有很大的实用价值。