磁控溅射Cu／Ni薄膜的电磁屏蔽作用

介绍了一种新型的塑料表面金属化方法－磁控溅射法在电磁屏蔽上的应用，研究了工艺过程和工艺条件对镀层厚度、附着力和屏蔽性能的影响。结果表明，工作电压，放电电流、充氩气前后的真空度和基片温度影响镀层质量。在真空度达到２Ｐａ时，通入氩气直到压力达到４０－２０Ｐａ，在阴极工作电压－５００Ｖ，阳极放电电流０．７Ａ时，可提高膜层的附着强度。     

低辐射镀膜玻璃的色差分析与检测

本文从色差的定义与说明入手，简要分析了磁控溅射低辐射镀膜玻璃产生色差的原因，主要有磁控靶内磁场强度不均；工艺气体不纯或气体流不稳定；真空状态不稳定；靶材短路、断路以及传送线出现故障引起的靶材跳闸；工艺参数或走速设置错误以及原片原因等，并相应地提出了减少色差的基本途径和基本的解决办法。接着浅显地讲述了色差的单位；色的宽容量；给出了计算色差的基本原理与色差的检测方法。最后列举了近几年来从国外引进的磁控溅射低辐射镀膜玻璃生产线的几种检测手段。     

基于环形微热板的ZnO微气体传感器设计

提出一种新型的设有环形结构微热板的硅基ZnO微气体传感器。利用ANSYS软件,将环形电极结构与传统的蛇形结构进行温度分布的模拟仿真,发现该结构能供给传感器更高的温度且中心温度分布均匀,进而解决了现有传感器功耗大的缺点。通过对RF磁控溅射ZnO薄膜的工艺摸索,得出了适宜作气敏薄膜的制备参数。该传感器在250℃下对（200-1000）×10-6CH4气体有很好的响应。     

高熵合金涂层的研究现状

综述了高熵合金的概念与特性,介绍了高熵合金涂层的设计和制备手段。重点讨论了激光熔覆、磁控溅射和热喷涂这3种制备高熵合金涂层的技术手段的原理、特点及国内外的研究现状,展望了高熵合金涂层的研究和应用前景。     

空心微珠表面磁控溅射和化学镀金属膜的特性比较

通过采用磁控溅射方法和化学镀的方法,对无机空心微珠颗粒表面进行了镀金属膜的研究.采用化学镀方法所得的颗粒表面所镀金属层疏松、不均匀、还有未被金属遮盖的孔洞,金属层与空心微珠表面的附着力小,金属薄膜容易脱落.采用磁控溅射方法所镀的空心微珠表面没有明显的金属颗粒,表面所镀金属致密、均匀,表面覆盖完全,没有孔洞,金属层与空心微珠之间的附着力大,即使采用挤压等方法也没有发现金属层与空心微珠表面分离的现象出现.XRD测试表明,采用两种方法所镀的金属其金属的结构和性质几乎没有区别,可以达到同样的应用效果.另外,化学镀方法流程较复杂,易产生环境污染,但适合于超微细颗粒的镀膜.磁控溅射方法是物理方法,没有环境污染,流程也比较简单,但在处理超微细颗粒时必须采用强有力的分散手段保证每个颗粒均匀镀膜.     

衬底及压强对磁控溅射ZnO薄膜表面形貌的影响

在压强为0.5Pa和0.7Pa的情况下,采用磁控溅射法分别在Si及石英玻璃衬底上生长ZnO薄膜。利用原子力显微镜对ZnO薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。研究表明:在Si衬底上生长的ZnO薄膜,压强为0.7Pa时比压强为0.5Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压(0.7Pa)下,Si衬底上得到的ZnO薄膜质量明显优于石英玻璃衬底上的。     

微波铁氧体器件薄膜的制备及性能研究

该文采用RF磁控溅射工艺制备了射频薄膜电感用的铁氧体薄膜。为了降低铁氧体薄膜在高频下的涡流损耗、剩余损耗等,通过对铁氧体材料的磁特性分析,研究了不同的温度、成分掺杂对铁氧体磁性能的影响,获得了矫顽力为5.619 6Guss的铁氧体薄膜,并采用SEM、XRD对铁氧体薄膜表面结构进行了表征,采用VSM对薄膜磁性能进行了测试。     

Si(111)上生长LiNbO_3薄膜的研究

利用射频磁控溅射的方法,在Si(111)衬底上制备了LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了衬底温度、退火温度和溅射气体压强对LiNbO3薄膜结晶和表面形貌的影响,并用椭圆偏振仪测量了薄膜的厚度和折射率。结果表明:衬底温度为450℃时制备的薄膜,退火前后都没有LiNbO3相生成;衬底温度为500～600℃时,LiNbO3薄膜出现(012)、(104)和(116)面衍射峰,经600℃退火后3个衍射峰的强度加强;衬底温度为600℃时,经600～900℃退火得到的LiNbO3薄膜,除出现(012)、(104)和(116)面衍射峰外,还出现(006)面衍射峰;溅射气体压强从0.8 Pa增大到2.4 Pa时,经800℃退火后得到的LiNbO3薄膜表面晶粒团簇变小,而0.8 Pa制备的薄膜经800℃退火后LiNbO3相的结晶程度较其它压强下完善;900℃退火后得到的LiNbO3薄膜折射率为2.25,与LiNbO3晶体相当。     

Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。     

衬底温度对反应溅射TiN_x薄膜结构与电阻率的影响

采用反应磁控溅射方法,在不同Si(100)衬底温度下,制备出了TiNx薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对TiNx薄膜的物相、微观结构进行了表征,采用电子能谱仪(EDS)测定了TiNx薄膜的成分,运用四探针测试仪测量了TiNx薄膜的电阻率,研究了衬底温度对溅射TiNx薄膜结构与电阻率的影响。研究结果表明:衬底温度从室温升高到600℃时,随着温度升高,TiNx薄膜的(111)晶面衍射峰逐渐增强,500℃后减弱;(200)晶面衍射峰在300℃时最强,之后减弱。随着衬底温度的升高,TiNx薄膜的晶粒逐渐增大,300℃达最大后减小。随着衬底温度升高,TiNx薄膜的N/Ti原子含量比降低,200℃时降到最低为0.99,随后升高,500℃时最高为1.34,随后再次降低。N/Ti原子含量比与薄膜电阻率呈明显反比变化。