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61.
磁控溅射在镁合金表面处理中的应用   总被引:8,自引:0,他引:8  
采用磁控溅射制备的合金表面膜层具有防腐蚀性能优异、耐磨性强等优点,其作为镁合金表面处理技术具有良好的发展趋势。简要介绍了磁控溅射的基本原理及其在镁合金表面处理中的一些应用,并着重给出了反应磁控溅射“Berg”模型的简化计算方法,最后对国内外磁控溅射的最新技术以及应用于镁合金表面处理的趋势进行了展望。  相似文献   
62.
在室温下,应用对靶直流磁控溅射设备在普通玻璃基片上制备了FePt(30nm)/Ti(tnm)颗粒膜样品,随后,在真空中进行了原位退火.详细研究了Ti衬底层对FePt颗粒膜的微结构和磁特性的影响.X射线衍射图谱表明样品形成了较有序的L10织构,Ti和FePt形成了三元FePtTi合金.当Ti层厚度t=5 nm、退火温度Ta=500℃时,样品具有高度有序的L10织构、小的颗粒尺寸和优异的磁特性.矫顽力超过了6.7 kOe,饱和磁化强度为620emu/cc.并且具有较小的开关场分布.结果表明FePt/Ti颗粒膜系统可作为超高密度磁记录介质的候选者.  相似文献   
63.
柳美荣  郭锦芳  王小平 《金属学报》2002,38(Z1):224-225
采用直流磁控溅射法制备了NiTi形状记忆合金薄膜,采用一步法对NiTi薄膜进行晶化热处理以使其获得形状记忆效应,研究了成分和晶化热处理对NiTi薄膜相结构的影响.结果表明,等原子比膜和富钛膜经相同晶化热处理后,相结构明显不同,前者相结构主要为B2相,后者则为B2+M相;且等原子比膜经过不同温度的晶化热处理后,随着温度的升高,M相和第二相也相应增多.  相似文献   
64.
概述了薄膜的制备工艺以及提高低磁场磁致伸缩性能方面的研究进展,并展望了对超磁致伸缩薄膜的发展前景。  相似文献   
65.
对硬质聚氨酯泡沫塑料进行适当的前处理(涂刮不饱和聚酯腻子和喷涂双组份聚氨酯清漆),再采用磁控溅射镀膜技术对其进行紫铜T2镀膜,能够有效地降低泡沫塑料的吸水率,提高尺寸稳定性.  相似文献   
66.
五.离子镀的发展。离子镀技术兴起30多年来取得了巨大的进步,在我国研究开发应用离子镀技术也有近20年历程,现今已形成相当规模的产业。目前,在装饰镀膜行业中以磁控溅射离子镀和阴极电弧镀为主:在工具超硬膜行业中,以阴极电弧镀为主力,空心阴极离子镀和热丝弧离子镀也有采用,但不盛行,并且渐退出:在光学膜行业,则以活性反应蒸镀和磁控溅射为主。近年来,以全新的理论为基础开发的新的离子镀方法似乎尚未出现,但对已有的方法进行了大量的改进、革新.完善工作。  相似文献   
67.
目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构。综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8∶0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80%,在8~14μm红外波段的辐射率小于0.2。结论磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜。  相似文献   
68.
为了得到高质量的纳米薄膜,对直流磁控溅射法制备Ni-Ti薄膜工艺进行了研究。采用单晶硅和玻璃两种基体材料,并在不同的基体温度、晶化温度、溅射功率等条件下制备薄膜。之后对薄膜进行了XRD,SEM分析。分析结果表明:薄膜成分、厚度、表面形貌、致密度与溅射功率、基体温度、晶化温度、基体材料密切相关。并根据实验结果给出优化的纳米Ni-Ti薄膜制备工艺。  相似文献   
69.
采用磁控溅射真空镀膜技术制备银包铝复合线坯,通过后续不退火多道次拉拔,制备低密度的超细银包铝复合软导线。结果表明,磁控溅射处理时,银镀层厚度随走线速度加快而变薄,随溅射电流增加而增厚;拉拔加工要求银镀膜层厚度大于1.3μm,道次变形量宜小于7%;随银镀层厚度增加,制备的10μm超细丝的密度和抗拉强度均增大。将φ15μm的纯铝芯材采用优选条件溅射镀银膜,经拉拔加工制得φ10μm的银包铝复合软导线,其密度为4.87 g/cm~3,抗拉强度286 MPa,复层表面均匀致密无缺陷。  相似文献   
70.
提出通过改变溅射气压获得倾斜于C轴的A1N薄膜的制备方法,探讨了倾斜A1N薄膜的生长机理.以3对交替沉积的Ti-MD金属层为布拉格声学反射层,采用MEMS工艺制备了基于倾斜A1N薄膜的、以剪切模式振动的体声波液体传感器,并对器件的S11参数进行测试分析,得到传感器的中心频率为0.78GHz,表明该器件在生物液相检测领域具有一定的应用前景.  相似文献   
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