溅射涂层对炮钢氧化及热腐蚀行为研究

用磁控溅射的方法在炮钢CrNi3MoVA上沉积NiCrAIY涂层，研究了涂层前后抗氧化及热腐蚀的性能，结果表明，溅射NiCrAIY涂层的炮钢的抗氧化及热腐蚀性能显著提高．     

退火温度及薄膜厚度对Co-Ag颗粒膜结构及巨磁电阻效应的影响

采用磁控溅射方法制备CoxAg100-x颗粒膜,研究了其巨磁电阻（GMR）效应。结果表明,GMR效应的大小是颗粒膜厚度的函数。在0．9T外磁场下,当玻璃衬底上制备态Co33.8Ag66.2颗粒膜的膜厚为100nm时,其GMR效应值达到最大值（-18．2％）,且GMR值随退火温度的上升而单调减小。     

Er／Yb／Al掺杂ZnO薄膜的结构与形貌研究

采用射频磁控溅射技术在室温下Si衬底上制备了ZnO薄膜和Er／Yb／Al掺杂的ZnO薄膜。通过对XRD的结构分析表明：未掺杂ZnO薄膜沿c取向性生长,掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长,变为（102）取向性生长的纳米多晶结构;Er／Yb／Al掺杂的ZnO薄膜的晶粒尺寸随着Er元素含量的增多而减小。经AFM对其形貌分析表明：Er^3＋、Yb^3＋、Al^3＋的掺入引起了ZnO薄膜晶格场变化,使薄膜表面粗糙度变大。     

直流磁控溅射制备TiO2薄膜及其光响应研究

研究了制备工艺与热处理对TiO2薄膜光响应的影响。用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜,并分别在400℃与600℃下进行热处理,应用XRD、SEM、UV—Vis等分析方法对其进行表征。实验结果表明较高的温度与适当的氧分压可以提高薄膜的结晶度,随着温度的升高,薄膜晶粒粒径增大,其可见光透过率有所降低,而使薄膜的吸收阈值向长波方向移动。     

工艺条件对中频磁控溅射CIGS薄膜的影响

采用铜铟镓硒(CIGS)四元合金靶材,利用中频溅射电源在钠钙玻璃基底上磁控溅射CIGS薄膜。研究了溅射功率及基底温度对CIGS薄膜结构及性能的影响。采用SEM、XRD、UV-Vis及四探针方阻测试仪对CIGS薄膜结构及性能进行了表征。结果表明,随着功率的升高,薄膜晶界明显,晶粒增大,光吸收系数达到105 cm-1数量级;随着基底温度升高到250℃,制备的CIGS吸收层薄膜结晶性最好,晶粒尺寸达到1μm,电阻率3 200Ω·cm,光吸收系数达到0.98×105 cm-1,禁带宽度为1.41eV。     

磁控溅射制备金属铀膜

研究了通过磁控溅射方法制备高纯金属铀膜的可行性。采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子能谱（AES）、扫描电镜（SEM）、表面轮廓仪分析了沉积在单晶硅或金基材上铀薄膜的微观结构、成分、界面结构及厚度、表面形貌和表面粗糙度。分析结果表明：磁控溅射制备的铀薄膜为纯金属态,氧含量和其它杂质含量均低于俄歇电子能谱仪的探测下限;溅射沉积的铀镀层与铝镀层之间存在界面作用,两者相互扩散并形成合金相,扩散层厚度约为10nm。铀薄膜厚度可达微米级,表面光洁,均方根（RMS）粗糙度优于15nm。     

磁控溅射制备成分渐变Au/Cu复合涂层的研究

在JGP560型高真空多功能磁控溅射设备上,利用直流磁控溅射法,通过控制共溅射时Au靶和Cu靶的功率变化,在平面基片和微球表面制备了一系列成分渐变的Au/Cu涂层,并用扫描电子显微镜和能量色散X射线荧光光谱仪对涂层的微观结构和成分进行了测试分析。分析结果表明：涂层内部的晶粒生长随Au和Cu含量的变化呈现出3个不同的区域;涂层中Au和Cu含量随涂层厚度的增加呈近线性变化的趋势;涂层内部晶粒之间结合紧密;涂层厚度均匀性良好,表面光洁。     

AZ31镁合金表面低偏压磁控溅射TiAlN薄膜的结构与耐蚀耐磨性能

针对镁合金不抗蚀、不耐磨2大问题,采用直流磁控溅射的方法,通过对基体施加偏压调控,在AZ31镁合金表面制备了TiAlN薄膜.借助XRD和SEM等方法研究了薄膜的微观结构,通过电化学工作站和销盘式摩擦磨损试验机评估了薄膜的耐腐蚀和耐磨性能.结果 表明:施加偏压后的镀膜基体结构发生很大变化,薄膜由岛状生长模式转变为层状生长...     

AZO透明导电薄膜的性能和制备

AZO薄膜是一种应用广、发展快的高导电率、透光率的金属氧化物薄膜。文章基于国内外的发展情况,概述了AZO薄膜的光电性能、应用领域和不同的掺杂对AZO薄膜的性能影响。归纳了AZO薄膜的制备方法,着重介绍了磁控溅射沉积法制备AZO薄膜的几个工艺参数可能对AZO薄膜性能的影响。     

空芯玻璃微球表面改性及其介电性能研究

采用直流磁控溅射法对空芯二氧化硅微球表面镀Ni薄膜，利用扫描电镜对镀Ni膜微球形貌进行观察。结果表明获得了金属Ni包覆的玻璃微球。将镀Ni膜微球与高分子粘合剂混合制得人工介质材料，在一定频率范围内，测试其介电常数，并采用有效媒质理论对测试结果进行了分析。研究结果表明，在体积分数一定的情况下，介质材料的有效介电常数eeff随膜厚的增加而增加。eeff随着镀Ni微球体积分数的增加而增加，其实验值与有效媒质理论的C—M公式计算值较好地吻合。