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981.
为了研究Al涂层对Ni基合金高温氧化性能及氧化机理的影响,采用磁控溅射方法在Ni基合金表面制备了Al涂层,在600℃下对涂层进行了真空扩散退火和预氧化处理,并研究了涂层在1 100℃下的高温氧化性能.利用扫描电子显微镜和能谱仪分析了氧化膜的截面形貌及组成.结果表明,Ni基合金氧化动力学曲线近似服从抛物线规律,且合金的氧化增重最大.经过1 100℃高温氧化后,Ni基合金表面形成三层氧化膜,外层为Ni O、Cr_2O_3、Al_2O_3的混合氧化物和少量尖晶石氧化物,中间层主要为Ni的氧化物,内层为Al_2O_3.Al涂层试样的氧化增重相对较小,表明Al涂层在一定程度上提高了Ni基合金的抗氧化性能.  相似文献   
982.
为了提高光衰减片整体的光衰减效果,采用真空磁控溅射法,利用真空磁控溅射仪制备纳米级厚度的Ni/SiO2玻璃光衰减片.利用X-射线衍射(XRD)、原子能谱、扫描电镜和722分光光度计等表征手段,研究溅射时间(5、10、15、20、25 min)对透光率、微观结构的影响.实验结果表明:当溅射工作压力为0.4Pa,溅射时间为25 min时,金属Ni在SiO2玻璃基片上形成(111)和(200)晶面取向的镀Ni薄膜;SiO2玻璃基片上沉积的薄膜平整,颗粒分布均匀、排列紧密;试样的透光率达到0.41,采用磁控溅射法制备金属Ni/SiO2玻璃复合薄膜式光衰减片满足光纤通信需求.  相似文献   
983.
Li-doped Zn O thin films had been grown by radio frequency magnetron sputtering and then annealed under various annealing temperatures. The characteristics of Zn O films were examined by XRD, FESEM, Hall measurement and optical transmission spectra. Results showed that p type conduction was observed in Lidoped Zn O films annealed at 500-600 ℃ and the p type Zn O films possessed a good crystalline with c-axis orientation, dense surface, and average transmission of about 85% in visible spectral region.  相似文献   
984.
ZrN/Zr-N/Zr coatings were deposited on H13 steel by close field unbalanced magnetron sputtering ion plating (CFUBMSIP) technique. The effect of two main parameters such as OEM and bias voltage for the CFUBMSIP process on the microstructure, mechanical properties and impact fatigue behavior of the coatings was investigated. The results indicate that with OEM increasing from 55% to 65% the surface particles size of the coatings increases while it remains almost similar when the bias voltage changes from 60 to 75 V. An aggregation of the particles occurs on the coatings surface, with further increasing the OEM and bias voltage to 75% and 90 V, respectively. The coatings show a columnar grain structure and are mainly composed of two phases of ZrN and Zr. The coating hardness decreases with OEM value increasing and both the coating hardness and modulus go up with bias voltage. The coating deposited under OEM of 65% and bias voltage of 75 V shows the best impact fatigue property.  相似文献   
985.
磁控溅射法制备碳化钨薄膜的研究及应用进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了国内外磁控溅射法制备碳化钨薄膜技术的研究动态.文章认为,磁控溅射碳化钨薄膜今后研究的方向将集中在低温、超硬膜、耐蚀膜、催化性膜等方面.  相似文献   
986.
通过对离线磁控溅射镀膜玻璃生产工艺和物体呈色原理的了解,以及各种材料形成的薄膜,对玻璃颜色影响程度的分析,提出了在生产过程中准确、快速地将玻璃色差调整到最小的方法。  相似文献   
987.
目前,生产大面积建筑镀膜玻璃广泛采用真空磁控溅射镀膜工艺,而这种工艺的核心和关键是磁控溅射阴极靶。因此对靶结构的研究也就成为真空磁控溅射镀膜工艺中的重要课题之一。本文对目前国内外使用的三种阴极靶结构,即同轴圆柱靶、矩形平面靶、旋转式新型柱状靶进行了分析,阐述了三种结构的优缺点,以及靶材刻蚀、膜厚均匀性和靶材利用率等方面的问题,总结出适合于生产大面积建筑镀膜玻璃的阴极靶结构。  相似文献   
988.
采用射频磁控溅射的方法在不同温度下Si(111)衬底上制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),光致发光(PL)谱等分析手段研究了衬底温度对ZnO薄膜微观结构及发光特性的影响.通过XRD和AFM分析发现随着衬底温度的升高,制备样品的X射线衍射半高宽(FWHM)减小,晶粒尺寸增大,在300 ℃时晶粒尺寸达到最大,但随温度的进一步升高(至400 ℃)晶粒尺寸减小,缺陷增多.薄膜样品PL谱均在520nm处出现绿光发射峰,本文认为这是由于氧空位(V_O)和氧替位(O_(Zn))共同作用的结果,绿光发射峰强度与其结晶质量密切相关,结晶质量越好,杂质和缺陷态就越少,发光峰越弱.  相似文献   
989.
磁控溅射的方法在PET表面镀上金属铜和镍,使其具有抗电磁辐射的功能.PET表面镀金属膜影响它的透气性能和电磁屏蔽性能.通过分析金属增重率对溅射织物的透气率以及电磁屏蔽性能的影响,以方便综合考虑服装的防电磁屏蔽性能和服装的舒适性能之间的关系.  相似文献   
990.
利用射频反应磁控溅射在(100)Si衬底上沉积了AlN薄膜.通过AFM,XPS,C-V及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强度,并研究了快速热退火(RTA)对薄膜性能的影响.通过不断地改进实验参数制备出的薄膜抗电强度为13-15 MV/cm,薄膜的相对介电常数为4.22,XPS测试与分析表明薄膜中不含Al单质,且Al2p的75.1 eV的峰值表明薄膜表面已被部分氧化;薄膜的退火分析表明1 000 ℃左右的退火温度有利于提高薄膜的抗电性能.  相似文献   
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