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991.
用磁控溅射法制备软X射线多层膜 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍用直流-射频平面磁控溅射法制备软x射线多层膜的初步实验结果。在一定工艺条件下,采用计算机定时控制膜厚的方法,严格按照设计周期制备了多层膜样品,并给出了X射线衍射仪小角衍射的检测结果。 相似文献
992.
993.
一种全向天线的制造工艺技术 总被引:1,自引:0,他引:1
以双螺旋锥形全向天线为例,给出了多螺旋锥形全向天线的制造工艺方法:磁控溅射法、柔性微带法和金属带线缠绕法。针对不同的工艺方法,给出了数学模型的直角坐标转换公式、展开图形和实体模型图。 相似文献
994.
利用XPS能很好地分辨出硅基纳米硅-氧化硅膜层中的n-Si和n-SiO2。对Si2P峰进行的拟合处理,可计算出n-Si和n-SiO2的含量,其结果与RF-磁控溅射沉积薄膜中所用的复合靶Si和SiO2的面积比基本一致。 相似文献
995.
996.
利用非平衡磁控溅射技术制备出二硫化钼薄膜,并通过扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了工作气压和沉积时间对薄膜表面形貌和结构的影响及其演化规律.实验结果表明,在小于0.40
Pa的气压下,沉积MoS2薄膜的(002)面平行于基体表面,而在高于0.60Pa的高气压下,膜层的(002)面垂直于基体表面.在沉积初期,无论工作气压的高低,薄膜均按(002)基面的方式生长;在沉积后期,低气压下形成的薄膜仍按(002)基面方式生长,而在高气压下薄膜将转向以(002)基面与(100)或(110)棱面联合的方式生长.薄膜的表面形貌、微观结构,与薄膜的生长速率和沉积粒子的能量有关. 相似文献
997.
998.
采用磁控溅射离子镀法(MSIP)对高速钢W18Cr4V进行了TiN镀膜试验,对镀膜后试样的各项性能进行了测试分析,并对溅射时间、氮分压、溅射电流等工艺参数对TiN膜层的显微组织、厚度、硬度和耐磨性的影响进行了研究,确定了可获得最佳涂层综合性能的镀膜工艺参数。 相似文献
999.
1000.