基于机器视觉技术的射击训练系统研究与设计

针对现有自动报靶系统只能简单评价射击成绩,不能全面了解射击技术水平的问题,本文设计了基于机器视觉技术的射击训练系统。系统采用图像处理技术、激光发射技术、数据挖掘技术、数据库管理技术等相关技术,实现了自动语音报靶和对射手据枪稳定性、击发稳定性、瞄准精确性等技术水平的智能评估。     

智能化磁控谐振高压试验系统研究

目前电网智能化水平的提升对高压试验的智能化和试验效率也有了更高的需求,为解决现有的高压试验电源在高压交流绝缘试验中存在的不足,提升高压试验的效率,提出了一种智能化磁控谐振高压试验系统。该试验系统集升压、补偿和调谐于一体,具有升压调节平滑连续,结构紧凑等优势,可用于工频耐压试验。阐述了该系统的结构组成与基本原理,并搭建了该试验系统仿真模型,通过研究空载和负载运行特性验证了该系统原理的正确性。     

1Cr18Ni9Ti不锈钢微晶的耐局部腐蚀性能研究

利用磁控离子溅射技术得到bcc结构的1Cr18Ni9Ti不锈钢微晶溅射层,在不同溅射条件下可以得到(110)和(211)两种择优取向的微晶。用电化学方法研究表明,这两种微晶的耐局部腐蚀性能都较正常晶粒有明显提高,且(110)择优取向微晶的耐局部腐蚀性能较(211)择优取向微晶的耐局部腐蚀性能更好。     

基于磁控电感低压电网线电压调节器的研究

为解决低压电网线路中由于电压调节技术原因导致电压畸变,提出了一种新型低压电网线路电压调节器(LVR),并设计了磁控电感元件(MCI)。该元件可以使用一个较小的铁芯,省去了开关元件和其他运动部件,减小了铁损耗和材料损耗。基于MCI设计三相电路模型及实验平台,通过实验与仿真结果,对比电压的变化和效率均达到预期结果,验证了具有电压的无极调节功能和高鲁棒性,使得该器件可以用于低压电网电路的调节,为今后电压调节器的进一步研究提供参考。     

高纯度Si-Ge系合金靶

一种高纯度Si-Ge系合金靶，其杂质少、成膜时厚膜均匀，此外颗粒的发生少、均匀性和膜组成均衡，溅射性能良好，可得到膜厚均匀、漏电流少的膜特性优异的Si-Ge系溅射膜。该高纯度Si-Ge系合金靶的制造方法，是除去气体成分，在高真空中熔炼、铸造纯度5N（99．999wt％）以上的成为高纯度Si-Ge系合金靶及主成分的高纯度Si及高纯度Ge，制作合金锭，在通过将其粉碎制成Si-Ge系合金微粉末后，烧结该微粉末成合金靶。     

三元合金靶择优溅射稳定态的表面化学成分

基于多元素靶溅射的Andersen-Sigmund关系式，在分析了大量的二、三元素合金溅射稳定态靶表面化学成分的变化之后，发现各元素之间表面结合能之比几乎与靶体化学成分无关。只要给各元素之间设定适当的表面结合能比，就可以很容易地计算出三元合金靶稳定态表面化学成分，至少对于用2keV氩离子轰击的Ag-Pd-Au三元合金靶系来说，其计算结果都与实验值一致。所分析的实验数据是在常温下取得的，所以可不考虑离子轰击诱发的Gibbs偏析，其结论很可能是多元合金靶溅射的一般规律。此外，由Gaidikas等最近所提出的所谓择优溅射中的“基体效应”理论是无实验依据的。     

采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备

将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的中央位置。真空室的压强为10—100毫乇。磁桶由永磁铁所组成的磁铁阵列形成，在真空室壁面后面，产生一个多磁力线交点的磁场，推斥来自等离子体、朝着真空室壁面方向运动的带电粒子，从而，增强了对等离子体的约束，提高了等离子体密度、等离子体的均匀性及涂敷材料的离子化比例。     

氮化铝薄膜的制备及介电性能研究

采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。     

红外测速光幕靶改进及测量精度分析

为提高XGK-2002型红外测速光幕靶的测量精度及安装调试速度,提出采用双辅助激光器实现光源和接收精确对准的光幕靶改进方案.在现有红外测速光幕靶工作原理及结构基础上,对光源和接收对准中存在的问题进行了探讨,分析了其影响.提出了在光幕靶两端分别设置一激光器实现对准的光幕靶改进方案,并从测时误差及靶距误差两方面对改进后测量精度进行了分析.结果表明,改进后的光幕靶可快速、直观的实现光源和接收的对准,测试精度及安装可靠性提高,改进后测速精度可达到1‰.     

Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。