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1.
《Planning》2019,(25):111-112
目的:观察重复经颅磁刺激(rTMS)治疗精神分裂症患者的干预效果。方法:拟选取本院2018年1-12月收治的精神分裂症患者100例作为研究对象,按照随机数字表法分为对照组与观察组,各50例。两组均给予常规治疗及rTMS,对照组治疗期间给予常规干预,观察组在对照组基础上给予综合护理干预,比较两组干预前后临床症状、焦虑、抑郁程度以及临床疗效。结果:干预前两组各项PANSS评分比较,差异均无统计学意义(P>0.05);干预后观察组各项PANSS评分均明显优于对照组(P<0.05);干预前两组焦虑自评量表(SAS)及抑郁自评量表(SDS)评分比较,差异均无统计学意义(P>0.05);干预后观察组SAS与SDS评分均明显低于对照组(P<0.05);观察组治疗有效率明显高于对照组(P<0.05)。结论:综合护理干预可有效改善精神分裂症患者行rTMS治疗期间焦虑与抑郁,进一步提高临床效果,值得在临床推广实施。 相似文献
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4.
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6.
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
7.
MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。 相似文献
8.
回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
从铁磁质的磁化强度一般表示式出发,探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响,导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。 相似文献
9.
本文介绍单相负载适用在三相电网中的新型产品——T接磁调的关键技术,阐述了T接磁调的基本工作原理、结构特点和优越性。 相似文献
10.
近年来,以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素,重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数,并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。 相似文献