钢丝断口漏磁场磁荷模型定量描述的实验研究

从磁场的分布特征出发，分析了点磁荷模型运用在钢丝断口漏磁场描述的理论依据，研究了提离值以及断口宽度对信号轴向分量的影响，分析了点磁荷模型对断口漏磁场描述的适用性，得出了信号宽度与提离值和断口宽度之间的解析表达式。     

基于H∞理论的数控机床磁悬浮轴承控制器的研究

本文介绍了磁悬浮轴承控制系统和控制原理，并对系统建立状态空间数学模型。采用了基于H∞控制系统的优化设计思想，在对轴向磁轴承H∞控制进行分析的基础上将H∞控制应用于磁轴承的控制器设计中。借助于Matlab给出了H∞控制的仿真波形。仿真和实验表明：基于H∞理论的控制具有更好的稳定性、较强的鲁棒性和抑制扰动的能力。     

逆变弧焊电源中变压器的偏磁与防护

分析了全桥式逆变孤焊电源中变压器产生偏磁的原因及危害；阐述了在变压器一次侧串联电容或设置自动纠偏电路等防止偏磁的原理和方法。     

偏压类型对磁过滤等离子体制备优质类金刚石膜的影响

采用自行研制的磁过滤等离子体装置在单晶Si基底上制备了优质类金刚石(DLC)薄膜.运用红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和纳米压痕仪对样品进行了表征和分析,着重研究了衬底偏压类型对制备薄膜的影响.结果表明:在无偏压或周期性负偏压下制备的DLC薄膜的sp3含量比连续负偏压下制备的薄膜的sp3含量要高;同时在周期性偏压下制备的薄膜表面较光滑,其表面粗糙度仅为0.1 nm,sp3含量达到66.8%,相应的纳米硬度也较高(达到80GPa).同时对相应的成膜机理进行了讨论.     

化合物TbMn6Sn6的磁性和磁相变

采用分子场理论模型对稀土-过渡族金属间化合物的磁性、自旋重取向相变和场诱导的一级磁相变进行了研究.从理论上计算了TbMn6Sn6的易磁化方向随温度的变化以及不同温度时的磁化曲线,描述了自旋重取向相变和场诱导的一级磁相变.基于单离子模型计算了Tb离子和化合物的一阶和二阶磁晶各向异性常数及其随温度的变化,得到了和实验数据基本一致的结果.结果表明:Mn次晶格和Tb次晶格磁晶各向异性能之间的相互竞争是导致自旋重取向相变的物理机制,而稀土离子的四阶晶场项对场诱导的一级磁相变产生很大的影响.     

关于JB 4730《承压设备无损检测》送审稿磁粉和渗透检测部分值得商榷的几个问题

条未规定极间距为200mm时，直流电磁轭的提升力。应补充：直流电磁轭极间距为200mm时，至少应有177N提升力。     

自动扫查爬壁机器人结构及控制系统研究

针对检测在役化工容器筒壁对接环焊的危害性缺陷，设计了一种基于超声串列法扫查法的新型爬壁机器人，着重介绍其机械结构及控制系统。这种机器人采用磁轮吸附和轮式行走，利用磁带导航，光纤传感器检测，具有结构紧凑，导航性能好，控制精度高等特点，有广泛的应用前景。     

WC15Ni磁合金的质量控制

在WC15Ni无磁硬质合金生产过程中,选用粒度分布范围较窄的优质WC以及添加适量的Cr3C2,促进了抗弯强度的提高。     

Sn合金化对Gd5Si2Ge2磁致冷材料结构和性能的影响

以商业纯Gd为原料,采用非自耗电弧炉氩气保护下熔炼了Gd5Si2Ge2-xSnx(x=0.2,0.5,1)和Gd5Si2-yGe2Sny(y=0.1,0.2,0.5)系列合金,研究Sn合金化对Gd5Si2Ge2晶体结构和磁热性能的影响.粉末XRD结果表明Sn代Ge样品具有正交Gd5Si4型结构;Sn少量代Si(y=0.1,0.2)的样品具有单斜Gd5Si2Ge2型结构;Gd5Si1.5Ge2Sn0.5则为单斜和正交的混合结构.用超导量子磁强计(SQUID)测定了样品的M-T和不同温度的M-H曲线,结果表明Gd5Si2Ge2-xSnx(x=0.2,0.5,1)不具有巨磁热效应;Gd5Si1 9Ge2Sn01合金的最大磁熵变达15.3 J/kg·K(0 T～5 T),具有巨磁热效应.     

电磁起重机调磁保磁系统常发故障及改进

介绍了电磁起重机在马钢H型钢厂的应用情况,阐述了调磁保磁系统的作用和功能。针对在实际使用过程中的常发故障,进行了分析和改进。