一种新型椭圆低通滤波器的设计与实现

针对现有椭圆滤波器多采用查对曲线方法设计电路参数导致的滤波性能不佳,调试困难等问题[1],设计了一种新型椭圆低通滤波器.该滤波器采用高电位和地之间嫁接复电抗的方法设计电路,按照基于四端网络的分析方法获得滤波电路的传递函数.具有设计方法简单,调试方便,电路参数精确,电路稳定可靠,截止频率易于调节,并能获得较高的滤波技术指标的特点.实际应用结果表明,滤波器滤波效果较好,满足设计要求.     

基于宽度学习的注塑产品质量预测方法

在注塑成型工业中,产品质量自动监测一直是注塑工业智能化发展的核心问题。高品质和大规模的产品质量数据采集成本高昂,导致数据样本量少、不同类别样本数据不平衡,为注塑产品质量预测提出了更高的挑战。为此,该文提出一种基于宽度学习方法的注塑产品质量预测模型,以产品的3维尺寸为预测目标,在普通的宽度学习系统(BLS)中加入最小p范数来改进得到模型p范数宽度学习系统(pN-BLS),解决小样本和不平衡数据的问题,提高模型对离群点的检测性能。在第4届工业大数据竞赛任务2《注塑成型工艺的虚拟量测和调机优化》数据集中,将192个参数特征与预测目标进行相关分析,提取相关性高的基础特征17个,衍生特征4个和调机参数2个作为模型的输入。将16600条数据平均分为训练集和测试集各8300条,与支持向量机 (SVM)、最近邻算法 (KNN)、多层感知机 (MLP)和BLS进行对比实验,实验结果显示pN-BLS具有更快速和更准确的预测效果。在实际缺陷检测应用中,pN-BLS能更准确地预测异常数据,具有更高的鲁棒性。     

基于RF-PWM的主动谐波消除方法

开关模式功放(SMPA)适合于恒包络信号的高效功率放大,但会产生大量高次谐波,不仅对开关功率器件是一大挑战,还可能引入额外失真,对滤波器提出更高要求。针对上述谐波问题,根据叠加原理,在射频脉冲宽度调制(RF-PWM)的基础上,提出了一种针对恒包络信号的主动谐波消除方法。该方法通过选取多个特定的比较门限,对构成多电平输出脉冲的多个子脉冲的脉冲宽度进行控制,使其特定次谐波分量相互抵消,从而实现对特定次谐波的主动消除。该方法一方面可显著降低恒包络信号高效放大对滤波器的设计要求和实现难度,适合宽频段应用;另一方面可提高编码效率,有利于提高SMPA对恒包络信号的功放性能。仿真结果验证了该方法的可行性和有效性。     

基于积分宽度法测量发光二极管结温方法的研究

本文提出了一种基于光谱积分宽度法来测量发光二极管(light emitting diode, LED)结温的新方法,并进行了理论分析和实验研究。本方法主要分为光谱数据采集、定标函数的测定和结温测量三个过程。首先,为了测量成本的降低和精度的提高而采用在正常工作电流下采集LED光谱数据,并通过采用不同温度下的光谱积分宽度与选定的某一基准状态下的值逐差可得到线性度达0.99以上的定标函数,并通过此定标函数可实时测定任意状态下的结温。其次,为了比较本方法测量结温的精确性,分别对单色和白光LED采用本方法和业界主流的正向电压法,通过自行设计的基于积分宽度法结温测量系统和美国Mentor Graphics公司的T3Ster型仪器的测量结果进行比较,两种方法测出的结温最大偏差为2.1℃,在可接受的误差范围内。实验结果表明积分宽度法测结温具有高效便捷且低成本的的特点,具有一定的应用前景。     

“碳化硅功率半导体技术”专题前言

半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。     

二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究

用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜，并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示，在超薄范围二氧化硅呈层状生长，不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约3eV，形貌对二氧化硅带宽的影响小于膜厚的影响。     

掺杂一维光子晶体的杂质态

阐述了无缺陷光子晶体与掺杂光子晶体的结构,用光学特征矩阵方法,通过数值模拟计算具体讨论了一维光子晶体的一个实例。计算结果表明,掺杂光子晶体的禁带出现了极窄的、高透射率的尖峰,即光子杂质态,类似于半导体材料中的杂质能级。杂质层的引入增宽了原来光子禁带的宽度,杂质态的特征与杂质层的光学厚度、折射率及在晶体中的位置等因素有关。     

色散缓变光纤中的脉冲宽度研究

计算了高斯型脉冲宽度在色散缓变光纤中的传播特性和初始啁啾对脉宽演变的影响。讨论发现与单模光纤相比，色散缓变光纤中脉冲展宽较慢，并能有效抑制脉冲展宽；初始啁啾对脉宽有较大影响，初始啁啾参量C过大会造成脉冲严重展宽。     

闪光灯泵浦Nd3+:GGG激光特性研究

用闪光灯泵浦掺钕钆镓石榴石(Nd^3 ：GGG)激光晶体，研究了脉冲宽度0．5ms、1ms、1．5ms和2ms的放电泵浦下激光输出，实验获得了1．92J的最大激光能量．     

双程反向宽带非相干掺铒光纤光源的特性

针对双程反向结构的宽带非相干光纤光源的性能进行了数值模拟。通过对泵浦功率、泵浦波长、光源结构、光源长度等参数的选择来控制光源光谱宽度,稳定性和发射光功率。