氮氧混合气体高压脉冲电晕放电等离子体的分子束质谱诊断研究

利用具有三级差分抽气系统的分子束质谱仪为检测手段，对N2，O2混合气体的线板式高压脉冲电晕放电等离子体阴极板区的正离子成分进行了诊断研究。实验结果表明：在放电反应室N2,O2混合气体压力1330～3325Pa，峰值电压4～10kV及放电重复频率10～100Hz范围内，N2^ 和O^ 流强相当，N^ 流强约为N2^ 流强的2～10倍，N^ 、N2^ 和O^ 流强随脉冲峰值电压、放电重复频率的升高而增大，随放电气压的变化则存在一极值。     

大功率速调管发射机水冷系统的设计

雷达发射机中大功率器件(如速调管)的强迫液体冷却是一种常用的冷却方式。本文根据某雷达发射机冷却系统的设计.介绍了大功率速调管发射机水冷系统的设计方法。     

退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响

本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.     

2万t/a离子膜片碱装置试车运行总结

详细介绍了2万t／a离子膜片碱装置试车过程，对试车中出现的问题提出了解决措施。     

液体浓度光波导测量方法研究

对测量液体浓度用的各种不同形状的大直径玻璃光波导进行了研究，理论计算了其测量灵敏度与弯曲半径的关系，并建立了近红外的测试系统，对各种弯曲的光波导进行了测量，得到与理论分析相近的结果。     

F—离子微酸性介质中Ge—ZSM—5型分子筛的合成

在F~-离子存在的微酸性介质中合成了Ge-ZSM-5型分子筛,并对合成的影响因素及样品结构进行了研究.结果表明,Ge对骨架中的Si产生了同晶取代。     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。