新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

薄膜电感与薄膜变压器的开发及其应用

近年来，以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素，重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数，并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。     

具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术

本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。     

稀布阵综合脉冲孔径雷达时域与频域脉冲综合方法

在宽带信号模型基础上介绍了稀布阵综合脉冲孔径雷达的时域，频域和时频域三种脉冲综合方法，并从工程实现角度进行了比较，同时对脉冲综合过程中的采样损失及其补偿问题作了讨论。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的复合机制与新型半导体发光器件

本文较为详细地介绍了Ⅱ-Ⅵ族新型化合物半导体材料发光复合机制以及新型发光器件的结构和特性及在近代科学中的应用。     

日本磁吸附爬壁机器人的研究现状

本文概述了磁吸附爬壁机器人的研究现状，介绍了各种移动力方式的磁吸附爬壁机器人的应用场所及优缺点，为今后的研究提供了参考。     

非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究

本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．     

18Ni（350）马氏体时效钢的磁滞特性

采用双时效处理工艺研究了热轧１８Ｎｉ（３５０）马氏体时效钢的磁滞特性。结果表明，８２０℃·　ｈＡＣ＋（５９－６１０）·。ｈＡＣ＋５１０℃·。ｈＡＣ和８２０℃·　ｈＡＣ＋（６９０－７１０℃）·３ｈＡＣ＋１５０℃·３ｈＡＣ处理具有较高的磁滞性能，在对大量数据进行二元线性回归的基础上得出了１８Ｎｉ（３５０）马氏体时效钢磁滞特性的分段关系式。     

转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟

本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性，其中包括阴极的内部量子效率，电子的能量分布函数，谷间转移效率，同时也给出了阴极的时间响应特性．