CPU内核数量每两年翻一番

摩尔定律指出,半导体的晶体管数量每18个月至2年翻一番。我们可以把摩尔定律重新阐释为:CPU内核数量每2年翻一番。     

磁浸没透镜的宽束曲轴像差分析的微分代数方法研究

微分代数是计算机数值分析领域中的一个非常有效的方法,可以实现任意高阶微分的准确计算.本文根据微分代数方法的基本原理,将其引入到磁浸没透镜的宽束曲轴像差的分析计算中,得到了任意阶曲轴像差的微分代数表达式.文中针对轴上磁场具有某种解析表达式的一个实际的磁浸没透镜系统,利用微分代数的曲轴像差分析方法,计算了它的曲轴像差,并给出了全部二阶和三阶几何像差的分布图形.     

CXS系列旋转冲洗甩干机介绍

ＣＸＳ系列旋转冲洗甩干机是由信息产业部电子第四十五研究所根据国内半导体产业的发展和市场需求 ,于 2 0 0 0年研究开发的旋转冲洗甩干设备。该系列机型具有高洁净度旋转冲洗甩干功能。主要用于硅圆片、掩模板、太阳能电池等类似材料的冲洗甩干。是半导体湿法清洗工艺中必不可少的主要设备之一。1　ＣＸＳ系列机型ＣＸＳ系列机型针对不同用户、不同工艺需求、不同应用场合开发了系列化机型。用户可按自己的要求和不同工艺选择适合自己的机型型号和功能配置要求。其中 ,ＣＸＳ— 2 15 0ＯＡ型为双工作腔结构 ,最大加工片子直径15 0ｍｍ。…     

回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响

从铁磁质的磁化强度一般表示式出发，探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响，导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。     

T型接线磁性调压器的设计探讨

本文介绍单相负载适用在三相电网中的新型产品——Ｔ接磁调的关键技术，阐述了Ｔ接磁调的基本工作原理、结构特点和优越性。     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生     

使用半导体压力传感器的简单压力调节器

介绍在压力传感器应用中,半导体压力传感器为获得高性能,高可靠性提供了一种比较经济的手段。完全集成化的MPX5100(0～15PSI)系列压力传感器提供了一种温度补偿和校准的,高功率线性化的输出,这种输出适用于与很多线性控制系统直接相连的应用。本文介绍的电路介绍了这种传感器与一个简单的压力反馈系统一起使用,形成一个电压调节器。