单搭压印连接接头的谐响应分析

介绍了压印连接的特点和谐响应分析的原理,采用有限元分析软件ANSYS建立了单搭压印连接接头的有限元模型,并进行预应力静力分析和预应力模态分析,在此基础上对此模型进行了谐响应分析。对比了不同预应力下固有频率的变化,共振时谐响应位移峰值的变化。     

金卤灯具紫外辐射的准确测量与防护

该文介绍了灯具紫外辐射的危害,针对用途广泛的金属卤化物灯具发出的紫外辐射,提出如何根据灯具国家标准进行准确测量。并以具体测量仪器为例,阐述了测量紫外辐射过程的测试要点,最后介绍了金卤灯具如何防护紫外辐射的几个方法,从而给金卤灯具的设计、生产和测试人员明确了测试和防护的方法。     

DU-730紫外／可见分光光度计的应用研究

发表此文章的目的是向读者介绍一台国际先进水平的光谱仪器-美国BECKMAN（贝克曼）公司生产的DU-730紫外／可见分光光度计,它性能优良、应用广泛、操作简便,是生物医学实验室中非常实用的计量仪器。本文首先阐述了DU-750紫外／可见分光光度计的结构和原理,特别是这台仪器具有的先进的“微聚焦光束技术”。然后,介绍了仪器的各种主要技术参数,重点讨论了仪器的功能和所涉及的应用领域,包括：全波长扫描、固定波长测定、单一组分分析和蛋白质核酸的生物学测定等。最后作者为加强仪器的管理阐述了仪器的正确使用方法与维护,为正在应用这台仪器的读者提供一些有用的经验。     

紫外光谱技术在油藏注水开发动态监测中的应用——以南堡凹陷柳北地区沙三3油藏为例

通过分析开发井产出原油的紫外吸光系数的变化特征,对南堡凹陷柳北地区沙三3油藏注水开发进行了动态监测。研究结果表明,不同时期紫外吸光系数差值与芳烃馏分含量的差值有很好的线性正相关性,揭示了原油总吸光系数的主要贡献者是芳烃组分,它可以比较敏感地反映注水开发井中的原油在开采过程中芳烃含量的变化。根据柳北沙三3油藏原油紫外吸光系数变化特征,进一步评价了采油井的注水效果,确定了原油推进的大致方向,计算出LB1-12井原油流动速度为260m/a。     

曲古菌素A处理HeLa细胞对其培养基的吸收光谱影响

本研究采集了不同剂量曲古菌素A（TSA）分别处理24h和48h下的人宫颈癌细胞株（HeLa cell）的培养基RPMI1640的紫外吸收光谱。结果显示：细胞培养基分别在233nm和275nm处有特征性的吸收峰。数据的进一步分析发现：不同剂量的TSA在处理细胞时间一致时,培养基的吸收光谱存在明显的差别。即：1）当TSA处理细胞24小时,伴随着用药剂量的增大,细胞培养基在233nm处的吸收值先降后升,275nm处的吸收值同样先降后升：2）当TSA处理细胞48小时,伴随着用药剂量的增大,细胞培养基在233nm处的吸收值越来越低,275nm处的吸收值却越来越高。这一结果反映了培养基中芳香族氨基酸和半胱氨酸残基的含量及比例变化,其变化规律与药物引起细胞的增殖改变有着密切的联系,并为动物实验和临床应用奠定了基础。     

LD抽运355-nm准连续紫外激光器

报道了激光二极管(LD)侧面抽运Nd:YAG激光晶体腔内三倍频355 nm紫外激光器.实验中采用声光调Q技术,选用结构简单、紧凑的三镜折叠、平一凹腔设计,在腔内对1064 nm基波采用Ⅰ类相位匹配LiB3O5(LBO)晶体二倍频、Ⅱ类相位匹配LBO晶体实现三倍频,获得了较好光束质量的准连续紫外激光输出.在激光二极管抽运功率为155 W,声光调Q的调制频率为5.40 kHz的工作条件下,获得脉宽为45 ns,最高平均输出功率为2.14 W,光场均匀分布的355 nm准连续紫外激光,808 nm抽运光到355 nm紫外激光的光-光转换效率达到1.38%,1 h内输出稳定性为3.30%.此外,对影响腔内三倍频转换效率的因素进行了相应的分析研究.     

全新一代MicroVector型FPC紫外激光加工设备通过鉴定

近日,湖北省科技厅在武汉主持召开了由华中科技大学联合深圳光华激光技术有限公司和武汉华源拓银激光科技有限公司共同完成的“DPSS紫外激光挠性电路板（FPC）切割系统及工艺”项目技术鉴定会。     

深紫外波段光学薄膜研究进展

随着准分子激光、自由电子激光以及全固态深紫外激光等深紫外激光光源的推广应用,近年来,深紫外波段光学薄膜技术得到了快速的发展.综述了深紫外波段增强型铝镜、氧化物薄膜、氟化物薄膜以及氧化物和氟化物的混合薄膜的最新研究进展.     

千赫兹电光调Q LD端面泵浦Nd:YVO紫外激光器

研究了LD端面泵浦Nd:YVO晶体的腔内三次谐波转换的全固化脉冲紫外激光器,当LD抽运功率为20 W时,355 nm平均输出功率为80 mW,脉宽为13ns,并对实验结果进行了分析和讨论.     

n型GaN欧姆接触的研究进展

Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究.其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题.对于各种应用来说, GaN的欧姆接触需要得到改进.通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN工艺,提高欧姆接触性能等方面的研究进展.