纯铁在750℃熔融LiCl-Li2O中的腐蚀行为

利用锂化还原技术处理乏燃料时,形成了LiCl-Li2O混合熔盐,这将造成反应容器和传送装置材料的加速腐蚀.为了解此类腐蚀的腐蚀机理,采用浸没法腐蚀实验研究了纯铁在750℃不同含量熔融LiCl-Li2O中的腐蚀行为.腐蚀产物的相结构采用X射线衍射(XRD)分析,用电子探针(EPMA)观察截面形貌和分析腐蚀产物的元素分布.实验结果表明,随着Li2O含量的增加,纯铁在750℃熔融LiCl-Li2O中的腐蚀产物发生了由LiFe5O8向LiFeO2的转变,这与热力学计算得到的相稳定图一致,同时腐蚀减重随Li2O含量的升高而增大.Li2O含量是影响纯铁在熔融LiCl-Li2O中腐蚀行为的决定性因素.     

可降解纯铁薄膜的制备和血液相容性

用磁过滤阴极真空弧源法在单晶硅基片上制备纯铁薄膜,分析了薄膜表面的组成、元素价态和薄膜的物相结构,研究了薄膜的腐蚀降解行为和抗凝血性能.结果表明:具有纳米品粒的纯铁薄膜其腐蚀速率低于普通晶粒的纯铁,在纯铁薄膜表面粘附的血小板数量少于316L不锈钢,且激活和团聚比较轻微,增生的伪足数量比较少;纯铁薄膜表面对血浆中的凝血因子激活比较轻微,具有较好的抗腐蚀性和血液相容性.     

热处理对磁粉离合器的性能影响分析

本文旨在研究和探讨磁粉离合器的导磁材料——电工纯铁的热处理工艺以及热处理对其磁性能的影响,亦即对电工纯铁热处理前后的磁感应强度、矫顽力、剩磁和导磁率等进行比较分析,从而为进一步改善磁粉离合器的性能创造条件。     

工业纯铁表面联苯胺电化学修饰膜的缓蚀作用

研究了联苯胺在工业纯铁表面的电化学修饰,对修饰工艺条件进行了探索,并采用多种电化学方法研究了修饰膜在不同介质中的耐蚀性能,用现代物理表面分析技术对修饰膜的组成和结构进行了研究.研究结果表明,联苯胺修饰膜对工业纯铁有很好的保护作用,在弱酸性、氯化钠以及强碱性介质中有良好的阻蚀性能.根据实验结果,本文对修饰膜的缓蚀机理进行了探讨.     

静态离子交换—石墨炉原子吸收法测定纯铁及低合金钢中微量钼

随着钢质量的提高和对微量元素行为的深入探讨,石墨炉原子吸收法在钢铁中微量元素分析方面的应用与日俱增。但对一些熔点高和易于生成碳化物、难于原子化的元素,例如钼的直接测定方法迄今尚未见报导。这是因为在测定钼时,大量铁的存在不仅能产生很强的背景吸收,而且对钼有严重的负干扰。因此通常均采用常规的有机溶剂萃取或离子交换法进行分离,以消除其干扰和影响,但操作繁琐。为寻求一种简便的分离方法,根据石墨炉原子吸收法的特点,试验了采用静态阳离子交换的可能性,取得了较好效果。既消除了铁的     

稀土对工业纯铁硼铝共渗动力学的影响

采用膏剂法对工业纯铁进行稀土硼铝共渗和硼铝共渗,分析了渗层的相组成及其生长情况。结果表明：稀土对硼化物形成的两个阶段,即随机成核、等轴长大阶段和择优取向长大阶段均产生影响,并给出了渗层生长的动力学表达式。     

邢钢铁水脱锰脱钛试验获得成功

近日,邢钢在脱磷站进行铁水脱锰获得成功,铁水锰从0．38～0．45％成功降低到0．05-0．07％,并开发出一套利用脱磷站进行脱锰的工艺,对该公司各类永磁材料、软磁合金的工业纯铁原料生产,将产生重要的影响。     

纯铁、铝镇静钢和钛镇静钢的界面特性机理

为了解铝和钛的氧化物在钢中的行为及其夹杂物的去除方法,采用静滴法在1873K及不同氧分压条件下,测定了纯铁、铝镇静钢和钛镇静钢在Al2O3和MgO垫片上的接触角,确认了液滴尺寸与接触角的关系及影响界面张力的因素,并提出了界面行为中线能量的重要性。     

纯铁钎焊凝固过程的模拟计算

采用BNi-2＋40%BNi-5的混合钎料对纯铁进行真空钎焊,运用金相分析、扫描电镜分析（SEM）、能谱分析（EDS）并配合Thermo-Calc及Dictra软件计算对钎焊接头显微组织、钎缝成分分布、相组成和元素扩散情况进行了研究.结果表明,纯铁钎缝主要由γ-Ni固溶体和Cr-B金属间化合物组成;通过Thermo-Calc和Dictra软件计算,温度冷却至1 173 K时钎料仍没有凝固完毕,凝固过程中发生了共晶反应,此时相组成及元素扩散行为的计算结果与试验结果基本吻合,可在一定程度上指导钎焊新工艺的制定.     

稀硫酸中丙烯基硫脲对纳米工业纯铁腐蚀作用

在室温0.1 mol/L H₂SO₄+0.25 mol/L Na₂SO₄ 溶液中,研究了添加不同浓度丙烯基硫脲（ATU）对块体纳米晶工业纯铁(BNII)（通过严重塑性变形获得）和普通工业纯铁（CPII）电化学腐蚀行为的影响。当浸泡5 min后, CPII 的 Nyquist谱图上出现感抗弧,而BNII的Nyquist谱图为单阻抗谱。随着时间延长至2 h,BNII的Nyquist 谱图上出现两个时间常数;CPII的阻抗复平面上出现一圆心下偏的单阻抗谱。