SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性

采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。     

多糖绿色合成纳米氧化锌的研究

利用一种高分子多糖——葡聚糖作为稳定剂和软模板,通过一条绿色途径合成了粒径为70nm左右的纳米氧化锌,发现其在380nm处有一个强烈的吸收峰。通过SEM,TEM等测试手段,研究了葡聚糖分子以及热处理对纳米氧化锌形貌和粒径的影响,并探讨了纳米氧化锌的形成机理。此种方法也可拓展到其它纳米氧化物的合成领域。     

迈向纳米级芯片技术的IMEC研发——先进封装技术部分

近期、芯片制造工艺发展到了纳米时代(栅极宽度<100nm),IM E C发起并联合了全球七家主要半导体芯片制造商和几乎所有主要设备制造商,在刚建立起来的φ300m m硅片尺寸工艺中试线上,共同展开了45nm和32nm的芯片制造工艺的研究工作。虽然芯片封装技术也在快速发展,但其速度赶不上芯片制造工艺的迅猛发展。在先进的芯片制造技术和最新的PCB技术之间所谓的“互连技术壕沟”在不断扩大。而且,不断增加的工作频率,以及由于集成电路复杂程度提高而导致I O管脚的增加,都要求封装技术产生重大的技术变革,以保证在将纳米级的芯片与毫米级的系统相连…     

Ni(OH)2及Co(OH)2片状纳米晶体的合成与表征

使用强碱氢氧化钾为沉淀剂,通过水热法成功合成了具有六角形貌的过渡金属氢氧化物Ni（OH）2及Co（OH）2片状纳米晶.利用X射线粉末衍射仪和透射电子显微镜对样品的结构和形貌进行了表征.透射电镜观察结果显示：Ni（OH）2相为规则六角纳米片,Co（OH）2相为纳米片和纳米棒的混合物.选区衍射结果指出：Ni（OH）2及Co（OH）2纳米晶体均为单晶体.Ni（OH）2及Co（OH）2纳米片的产率分别达到了70%和90%.将实验结果同前人的过渡族金属氢氧化物纳米片报道进行了比较,提出了一个新的片状纳米晶的形成机制,指出在正常的沉淀条件下,Ni（OH）2及Co（OH）2纳米晶的稳定形貌总为六角片状.     

纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.     

利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构

讨论利用原子力显微镜(AFM)动态电场诱导阳极氧化作用下Si表面生成纳米氧化结构的特征,并进行相应的机理分析.实验表明,直流电压作用下的氧化结构表现出单峰特征,而电压脉冲和连续方波所得到的氧化结构具有中央凹陷特征和较高的纵横比.     

A-氧化铁气敏纳米晶锡掺杂最佳含量的理论计算

应用与晶体结构和掺杂上关的最佳掺杂含量的理论表达式,对氧化铁气敏纳米晶粉体中锡掺杂最佳含量进行理论计算。定量计算的结果与实验数据相符合。该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题。     

p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究

采用扫描隧道显微镜（STM）在p-nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨（HOPG）衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入,得到了一个信息点点径小于1nm,对应存储密度高达10^13 bit/cm^2的信息存储点阵,电流－电压（I－V）曲线表明,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区,而信息点存储区域是导电区,具有0－1信息存储特性,PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变,从而实现信息点的写入。     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

双折射双频HeNe激光器功率调谐纳米测量研究

提出了一种基于双折射双频HeNe激光器功能率调谐特性的纳米测量原理,当双折射双频HeNe激光器谐振腔长变化时,利用分裂的两个频率的寻常光（o光）和非寻常光(e光）功率调谐特性实现大范围里λ／2（约为0．3μm)低分辨率的测量,在λ/2范围里用o光和e光的等光强点实现纳米级分辨率的测量,将大范围的粗测和小范围的精测结合起来实现较大范围的纳米测量。