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141.
纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象   总被引:4,自引:4,他引:0  
纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.  相似文献   
142.
γ射线辐照-水热处理法制备纳米金属粉末SCIEI   总被引:7,自引:0,他引:7  
朱英杰  钱逸泰 《金属学报》1994,30(6):B259-B264
用γ射线辐照-水热处理法制备出8nmAg粉、16nmCu粉和10nmPd粉.研究了实验条件对Ag粉粒径的影响.确定了制备纳米Cu粉的工艺参数,发现用EDTA络合Cu离子,有利于制备粒径较小的纳米Cu粉,在不同条件下可获得球形和针形的纳米Cu粒子.  相似文献   
143.
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过X-射线衍射(XRD),扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析.  相似文献   
144.
145.
146.
147.
本文采用胶体-超临界流体干燥法合成CaO稳定化ZrO2纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行研究。研究结果表明,该法合成的粉体具有粒径小、粒径分布范围窄、比表面积大等特点;将粉体作为ZrO2基陶瓷起始粉料,具有很高的烧结活性,可以有效地降低烧结温度,缩短烧结时间。此外,粉体中稳定剂的含量会很大程度上影响其性能。  相似文献   
148.
姚斌  丁炳哲 《金属学报》1995,31(5):B220-B225
在静压3GPa,570-850℃下,对熔融Al与固态非晶(Fe0.99,Mo0.01)78Si9B13进行界面扩散反应,于800-830℃加热20min,制备出单相Al-Fe(Mo,Si,B)纳米合金块,其晶体结构属正交晶系,平均晶粒度为22nm,具有较好的热稳定性,HV为6.9GPa。  相似文献   
149.
本文采用溶胶-凝胶技术制备LaFeO3纳米晶薄膜,并摸索出该薄膜的光刻方法,将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结构,首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器,它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。  相似文献   
150.
本文介绍了纳米技术在塑料中的应用。纳米技术可使塑料增加韧性、强度。但应用中也存在着一些问题,例如纳米无机粒子在塑料中的分散问题及介面粘接等问题,并讨论了其研究新进展及工业化进程中需重点关注的问题。  相似文献   
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