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41.
通过对FCC法规的解读与研究,简单介绍了无线通信产品进行FCC认证和测试的要求和方法。  相似文献   
42.
一次我去长虹参观,对方说一台液晶电视原价18万元,可以卖我12万元。12万元还是很高,但对方说,它们几乎不赚什么钱,因为液晶核心技术有8万元是从国外买回来的。这说明核心技术成本非常高。而我们拥有的只是组装技术,可以做的不多。我们可以做设计,但却不好好做,其实韩国产品的设计水平不如中国,但中国在技术上不过硬。  相似文献   
43.
复合材料手动扫描超声特征成像检测   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了复合材料手动扫描超声特征成像检测,通过对超声检测信号的全波列采集与处理,实现了A,B,C扫描成像;相位特征成像;当量特征成像;超声层析技术和超声频谱分析技术。该系统已经在复合材料的检测上得到了良好的应用。  相似文献   
44.
6σ设计水平的评价   总被引:2,自引:1,他引:1  
在介绍6σ设计概念和目标的基础上,给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线,并开发了计算机模块,能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值,也可以根据实际的DPMO值,自动评价达到的设计水平。  相似文献   
45.
江苏复杂小断块油藏老井侧钻实践与认识   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用停关、低效井实施老井侧钻,其条件包括油藏、井身及技术经济等3个方面。侧钻效益的好坏与油藏类型、侧钻目标有着很大关系,侧钻断块油层、挖掘构造高部位剩余油成功率高,边底水、高渗透油藏侧钻效果好。实践表明,老井侧钻是提高江苏复杂小断块油藏开发效果,降低投资、提高效益的一项重要手段。  相似文献   
46.
总结了目前几种常见类型纺织厂房的特点,进行了技术经济指标对比,建议性地指出目前纺织工业厂房设计的方向。  相似文献   
47.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
48.
本分析了岩层中放射性元素的分布及能谱特征,研究了矿物成份与它们的关系,并利用体积模型计算矿物含量,确定粘土类型。以自然伽玛能谱测井资料与X衍射资料作对比以佐证其效果,进而用能谱资料对两口井的沉积相作分析。  相似文献   
49.
费薇 《浙江冶金》1997,(2):54-60
本文分析研究了浸入式水口的多孔质耐火衬与钢水间反应对气泡性缺陷发生率的影响,并探讨了通过使用不 与钢水发生反 应的无二氧化硅多孔质耐火衬可以防止气泡性缺陷发生的机理。  相似文献   
50.
李铭华  王继扬 《压电与声光》1997,19(3):201-202,207
对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理,吸收光谱显示基础吸收边紫移,480nm波长附近出现一明显吸收峰,这是由空位色心V0和Nb^4+缺陷引起的,Nb^4+的存在进一步被EPR实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。  相似文献   
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