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商业化运营模式促进产业创新,一度成为深圳地区IC设计业的活力源泉。不过,在经历繁荣创业之后,本土企业的进一步发展需要整个成熟产业环境的支持,小而散的灵活性并不能支撑一个区域产业的长久竞争,长三角半导体产业的发展已经证明群聚效应带来的综合竞争力是1加1远大于2。 相似文献
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用裂隙岩体渗流与应力耦合分析的四自由度全耦合法对岩质边坡进行耦合分析,通过强度折减有限元法求解岩体边坡的稳定安全系数。四自由度全耦合法建立了同时以渗流水压和位移为未知量的耦合方程组,使得渗流场与应力场的求解能够一次性完成,与两场交叉迭代分析方法相比达到了彻底的完全耦合。通过强度折减,整个系统达到不稳定状态,有限元计算将不收敛,此时的折减系数就是安全系数。算例表明由此求得的边坡稳定安全系数和滑动面都与传统方法十分接近。 相似文献
114.
回复应变退火对铁锰硅合金形状记忆效应的影响 总被引:5,自引:3,他引:2
结果表明,预应变后的合金经回复应变退火后,组织转变分为三个阶段,形状记忆效应主要产生于475℃以前第一阶段的应力诱发ε马氏体向奥氏体转变,475℃以后的各阶段组织转变对形状记忆的效应不产生贡献。适宜的回复应变退火温度为500℃。 相似文献
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116.
117.
异质谷间转移电子器件的计算机模拟 总被引:2,自引:1,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》1995,15(2):118-124
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组,得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Gunn器件相反,说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Al组份势垒结构的计算说明了X谷电子注入对器件工作的重要作用。 相似文献
118.
研究了经溶液共混制备的聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚碳酸酯(PET/PC)共混物的辐射效应。结果表明:PET/PC共混物在辐照过程中未发生酯交换反应和交联反应,但有降解反应发生。在研究的剂量范围内,辐照对PET/PC共混物中PET和PC的晶体形态影响不明显。 相似文献
119.
采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构,设计并研制成功了60路CCD多路开关动态范围≥50dB,转移效率≥99.99%;非均匀性±5%;最小输入5mV;最大输入信号2V;输入积累时间134μs;串行移出时间2μs;输出幅度≥2V。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。 相似文献
120.
《陕西水利水电技术》1998,(2):59-64,87
引渭工程位于中国陕西西部,引水流量60m^3/s,灌溉农田13.3万hm^2,于1969年开工兴建,1971年建成通水,至今已运行了24年。 相似文献