基于图像稀疏表达的模拟退火图像复原

针对现有的图像复原方法振铃效应严重的问题,提 出了一种基于图像稀疏表达的模拟退火的图像复原方法来恢复模糊图像。首先根据模拟退火 算法的要求,建立价格函数并 通过图像的模糊因子确定参数;然后在价格函数中的约束项引入图像的稀疏性,以提高复原 图像的质量;接着给初始解一个随机扰动,产生扰动解,并根据扰动解所造成的价格函数 的变化判断是否接受该扰动解;最后,当价格函数小于某一预设值时所得到的解即为复原 图像。实验结果表明,复原后图像细节增加且振铃效应明显减少,相对于目前已有的复原方 法,峰值信噪比(PSNR)平均提高了2~3dB。恢复效果表明,本文方法具有较大的实用价值。     

光纤耦合模块中光纤焊接技术的研究

大功率半导体激光器列阵的光纤耦合模块对光纤焊接的要求很高,在焊接中不希望用有机粘接剂和有助焊剂的金属焊膏,有机物在激光器工作时挥发出有机物质.这些有机物会污染激光器腔面,致使激光器工作时腔面温度很高.附着在腔面的有机物就会碳化,影响激光器的出光,并且还会导致激光器烧毁.提出用电场辅助焊接的方法,使光纤在硅片的V型槽中固定,取得了良好效果,在焊接中不使用助焊剂,不使用有机粘接剂,减少了激光器腔面的污染,从而延长了半导体激光器光纤耦合模块的寿命.测试结果表明,其剪切力最大可达35 MPa.     

对非相干光纤激光组束耦合效率的仿真研究

为了提高非相干光纤激光组束系统的耦合效率,需要分析影响耦合效率的各参数.理论分析及仿真研究结果表明,较小的高斯模场纵向偏移、离焦度和透镜焦距,较大的光栅周期对提高耦合效率是有利的,并且还存在最佳的光斑半径.在优化的系统参数基础上,系统的平均耦合效率可以达到58.1%.     

高性能双模前置分频器设计

提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频.这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以满足低功耗和低噪声要求.从而使总体电路实现高速、低功耗、低噪声要求.基于TSMC的0.18 μmCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具进行仿真.该分频器最高工作频率可达到5 GHz,在27 ℃、电源电压为1.8 V、工作频率为5 GHz时,电路的功耗仅4.32 mW.     

考虑光学邻近效应的详细布线算法

提出了一种考虑光学邻近效应的详细布线算法.该算法在布线过程中,充分考虑了线网走线相对位置及布线线形对其光学邻近效应的影响,通过相应的光刻模拟模型定义了用于估计光学邻近效应(optical proximity effect,OPE)的OPE费用函数,并采用OPE费用阈值控制Steiner树的生长方向和走线路径的选择,同时兼顾线网长度.为提高算法效率,避免布线过程中反复调用光学模拟程序带来的算法运行速度慢的问题,对可能的走线模式建立了计算OPE费用所需的光强查找表格,使算法的运行速度大大提高.在实际的工业用例上的实验结果表明,本文所提出的详细布线算法使布线结果中的OPE问题得到很大程度的改善,有利于后处理过程中的光学邻近效应校正技术的运用,算法的运行时间是可以接受的.     

深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应

选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.     

具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.     

感应耦合等离子体刻蚀机二维放电模拟

为研究感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机腔室与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布均匀性的影响,基于商业软件CFD-ACE 中等离子体与电磁场等模块建立了ICP刻蚀机二维放电模型.仿真研究了典型工艺条件(1.33Pa,200W,200sccm)下氩等离子体电子温度与电子数密度的空间分布,对比了不同气压与功率条件下等离子体参数在硅片表面的一维分布.结果表明,电子数密度随气压与功率的增加而升高;电子温度随气压的增加而降低,随功率增加在较小范围内先降低再升高.通过分析屏蔽板对等离子体参数的影响,发现其有助于提高等离子体密度.进而发现屏蔽板的孔隙率越大,电子温度越高,电子数密度则越低.     

非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

导体-介质组合体散射分析两种积分方程法比较

采用耦合积分方程和单积分方程两种方法,分析了三维导体-介质组合体目标的电磁散射问题.与传统的耦合积分方程法相比,单积分方程法使介质体表面的未知量数目减少一半,并且能获得更快的迭代解.讨论了导体-介质交界线上RWG基函数的正确处理问题.对介质锥-导体柱组合体、导体-介质组合球和某导弹模型的雷达截面(RCS)进行了计算和比较,验证了两种积分方程方法的正确性,且数值结果表明单积分方程法更加有效.