用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级

本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１－０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深能级，与样品（１１１）ＣｄＴｅ的Ａ、Ｂ面和表面光洁度关系不大。     

突变 HBT准费密能级分裂与复合电流

要精确描述HBT的复合电流,必须考虑异质结界面处的准费密能级分裂。而重掺杂改变了分裂量的大小．从而使复合电流发生与之相对应的变化。本文利用更准确的考虑了重掺杂效应影响的准费密能级分裂模型,计算了各种复合电流。通过比较得出准费密能级分裂对复合电流的重要性。     

硅中双空位和杂质对Se~2电子结构的自洽场Xa研究

本文利用自洽场Xa—MS方法研究了硅中双空位和替代式杂质对Se~2的电子结构。研究表明:双空位在硅的禁带中引入两个二重简并的E_U能级,由于Jahn-Teller效应,对称性从D_3d降为C_2h,两个E_U能级分裂,在禁带中产生一个深施主和两个深受主能级。杂质对Se~2在禁带中引入A_(1Q)和A_(2U)两个深施主,它们的位置分别为(Ec—0.26)eV和(Ec—0.57)eV,其中前者已在实验中观察到。     

电磁感应透明(EIT)的实验和理论研究

进行了电磁感应透明(EIT)的实验研究以及相关的理论分析和研究.完成了铯原子超精细结构中的电磁感应透明实验和铷原子塞曼磁子能级的电磁感应透明实验,并通过实验深入研究了原子密度、温度、耦合光强度、激光线宽、激光失谐等因素对透明信号的高度、线宽的影响.     

用于DLTS测试的MOS结构

本文采用阳极氧化工艺制备AlGaAs/GaAs自身氧化膜,进而制成MOS结构。对氧化膜的组分和稳定性,以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。实验结果表明:经氮气退火后的氧化膜的电学性质稳定。本文得出了适合于深能级瞬态谱测试的MOS结构,及采用MOS结构进行DLTS测试的测试条件。     

液相化学发光分析

化学发光分析是近十多年发展起来的一种新型的、高灵敏度的痕量分析方法。化学发光(Chemiluminescence)又称为冷光(Cold Light).它是在没有任何光,热或电场等的激发情况下,由化学反应而产生的光幅射。在有生命的系统中产生的化学发光则称之谓生物发光(bioluminescence)。化学发光分析就是利用某些化学反应所产生的发光现象对组分进行分析的方法。     

CENDL-3．1库^28Si的积分检验

采用日本大阪大学的基准检验装置OKTAVIAN的数据，完成了中国评价库CENDL-3．1中^28Si的中子评价数据的积分检验，并将检验结果与实验值、ENDF／B-VII.0、JENDL-3.3、JEFF-3．1等微观评价库的计算检验结果进行了比对和分析。结果表明，CENDL-3．1中^28Si的评价数据在分立能级直接非弹性散射截面及角分布、弹性散射截面、弹性散射角分布以及光子产生数据需要进一步改进。     

抓住现代服务业发展机遇提升合肥城市能级水平

分析了现代服务业与城市能级水平的关系，指出我国现代服务业发展面临的机遇，从5个方面，提出提升合肥的城市能级水平的措施：规范市场秩序，促进公平竞争；多渠道增加现代服务业的投入，做大做强生产性服务业；大力发展高等教育，提高从业人员的素质；利用科教优势，提高现代服务化发展的技术含量；优化产业结构，促进新老服务业和谐发展。     

采用CaO-SiO_2-CaF_2渣系去除硅中杂质硼

采用CaO-SiO2-10%CaF2渣系,对工业硅进行造渣除硼研究。研究不同工艺条件下,渣系碱性、反应温度T、渣金比和通气搅拌对硼在渣相和硅液中分配系数LB的影响。结果表明,在1873K下,当CaO/SiO2质量比为2时硼的分配系数可达最大值4.61。在1773～1973K下,lgLB与1/T成线性关系。随着渣金比的增大,硼的分配系数也相应增大,但当渣金比大于3时,硼的分配系数并无明显增加。通气可显著提高硼的去除效果,硼的分配系数随气体中H2O含量的增加而增大。     

一种锅炉烟气余热利用的高效循环系统分析

国内50～1000 MW电站锅炉烟气余热利用于凝结水系统,其转换效率为19.5％～23％,根据能级原理,提出了一种深度利用烟气余热和减少回热抽汽损失、实现锅炉排烟温度自动控制的高效循环系统方案.热力学分析表明,此方案可使1000 MW机组无煤附加功率由0.6 MW增加至20.125 MW,全厂净效率提高0.9％,投资回收期小于2.0年,具有良好的节能减排、降低发电煤耗的作用,并对新建和老机组设计优化提出了原则性的建议.