用光伏之眼看待晶体硅材料标准化

针对太阳能级晶体硅产业发展所面临的情况和我国硅材料生产技术路线，指出对于太阳能级晶体硅材料标准的制修订，需以用户的最大需求为基本要求，提出了现阶段的标准工作框架，对今后晶体硅材料标准化工作提出了具体的研究方向。     

聚乙烯载流子迁移率与空间电荷包形成机理

空间电荷包现象是电介质绝缘材料即将发生击穿破坏的重要标志。现有理论分析与仿真结果表明,电介质中载流子迁移率与场强的非线性关系是电荷包形成的重要条件。然而,此非线性关系的物理机制尚不清楚。为此,针对迁移率与场强的非线性关系展开研究,旨在解释聚乙烯材料中空间电荷包的形成机理。基于聚乙烯材料的定域态密度分布函数,利用以跳跃电导方式运动的电子性载流子迁移率公式,计算得到并分析了不同场强、最深陷阱中心能级与陷阱浓度等条件下的迁移率-载流子浓度关系。在迁移率的计算中,采用数值方法计算了Fermi能级,相对于解析近似方法具有更高的精度。迁移率的计算结果印证了陷阱填充效应的存在:随着陷阱不断被填充,新注入的载流子将受陷于较浅的陷阱,从而导致载流子的平均迁移率有较大提高。基于这种陷阱对载流子迁移率的调制作用,通过定性分析得出结论:电荷包运动方向后方的载流子对陷阱的填充效应可以使电荷包前后沿载流子的速度基本一致,从而为空间电荷包的形成和维持提供了一种可能的解释。     

Yong价值因子在热经济学分析中的应用

本文在热力学分析和Ｙｏｎｇ效率分析的基础上，将Ｙｏｎｇ价值因子应用于热经济分析。从动态价值角度及能级角度对用能过程的合理性，方案的可行性及系统的最优性进行了分析。通过理论分析和实例研究，指出Ｙｏｎｇ价值因子方法进一步完善了热经济学分析，有推广使用价值。     

GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级

本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。     

扫描深能级瞬态谱技术（SDLTS）

深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能给出微区域深能级的空间分布。而半导体材料的不均匀性往往是受深能级杂质或缺陷的不均匀分布所控制的。所以研究与测量深能级的空间分布以及它们之间的关系,对于提高半导体材料的质量与半导体器件的性能具有十分重要的意义。为此,我们在光注入深能级电流瞬态谱(OTCS)技术的基础上,建立了一种所谓扫描深能级瞬态谱(SDLTS)技术。进行了半绝缘砷化镓中深能级及其空间分布的测量工作。