掺铬锗酸锂可调谐激光晶体研究

利用提拉法缓冷工艺,生长出掺Cr³⁺/离子的Li₂GeO₃晶体,按Tanabe-Sugano能级图和吸收光谱,计算出Cr³⁺在Li₂GeO₃晶体场中的光谱参数(Racach参数)为B=573 cm^-1,C=2292 cm^-1,D_q/B=23.八面晶场分裂参数:Δo=12 779 cm^-1,在红外和近红外区激发Li₂GeO₃:Cr³⁺晶体,在796.2 nm,932.9 nm和962.5 nm处观测到有红外宽带发射。通过分析250 nm激发的荧光光谱,判断晶体中可能有Cr⁴⁺占据八面体心或八面体空位而引起在408.5 nm处的可见发射。     

牛仔面料性能与最佳激光雕刻能级之间的关系研究

利用激光雕刻技术对牛仔织物进行雕刻,经筛选后得到最佳雕刻图案,相应的能级为最佳雕刻能级。选取28种面料测试其性能参数,探讨面料性能与最佳雕刻能级之间的关系,运用相关分析,建立预测最佳雕刻能级的回归模型。经验证,模型预测效果良好。     

稀土铕掺杂钒酸钇的荧光温度特性研究

采用水热法制备了四方相YVO4:Eu3+纳米荧光粉,研究了YVO4:Eu3+晶体结构、发光特性及荧光温度特性.XRD结果表明合成的YVO4:Eu3+荧光粉与基质YVO4的晶相结构一致.发光光谱表明,在398 nm激发下显示了Eu3+离子的4f-4f特征跃迁红光发射.在303～623 K温度区间,发光峰位没有发生变化,各特征峰强度均显示出温度依赖性.采用荧光强度比技术,分别基于热耦合能级到相同基态的跃迁(5D1→7F1和5D0→7F1)、热耦合能级到不同基态的跃迁(5D1→7F1和5D0→7F4)及到Stark能级(5D0→7F4(1)和5D0→7F4(2))跃迁,研究其荧光温度特性.结果表明,在623 K时基于热耦合能级到相同基态跃迁(5D1→7F1和5D0→7F1)可获得最大测温灵敏度为2.55×10-3 K-1,大于基于热耦合能级到不同基态能级(5D1→7F1和5D0→7F4)时获得的最大灵敏度为1.08×10-3 K-1;而基于热耦合能级到Stark能级跃迁(5D0→7F4(1)和5D0→7F4(2))可在303 K时获得最大灵敏度为5.03×10-4 K-1.说明基于热耦合能级荧光强度比技术更适合用于高温条件,测温灵敏度决定于热耦合能级差,与到达基态能级无关.而低温条件下,基于Stark能级荧光强度比可获得较高的测温灵敏度,测温灵敏度决定于Stark能级差.     

Cs3Lu2Br9晶体中Er3+的配位场能级计算

在C3v点群对称场中,运用双层点电荷配位场 (DSCPCF)模型和点电荷(PCF)模型计算了Cs3Lu2Br9晶体中Er3+的配位场微扰能级,对55个配位场能级计算的均方根偏差分别是19.68 cm-1和26.37 cm-1,说明双层点电荷模型能更好地拟合实验能级.     

硅材料的化学提纯工艺优化研究

以工业硅粉为原料,采用正交试验及对比试验,并对试验结果进行XRF、XRD、SEM等测试,得出优化的低成本制备太阳能级硅的酸法提纯工艺,为工业规模提纯太阳能级硅提供一定依据。     

多孔硅蓝紫光发射

利用ＳＰＥＸ ＦＬ１１１型荧光光谱仪测出样品在紫外光激发下的发射光谱,得到多孔硅（ＰＳ）的４２６～４５０ｎｍ发射。根据实验结果,提出衬底的电学性质对光致发光（ＰＬ）光谱峰位的决定作用及多孔硅有确定能级的构想。     

低温净化冶金硅工艺(英文)

硼、磷杂质的去除在冶金净化法生产太阳能级多晶硅工艺中耗能最大。金属熔析净化法可以实现冶金硅在金属液中低温下熔化,而后再结晶净化,是一种可行的低能耗硼磷去除方法。对熔析体系的选择原则进行总结,筛选出铝、锡和铟金属作为合适的熔析介质。对于Sn-Si体系,1500K时硼的分凝系数为0.038,远小于纯硅熔点的对应值0.8。冶金硅二次熔析净化处理可使硼的质量分数由15×10-6降至0.1×10-6,而多数金属杂质可一次性去除至0.1×10-6以下。在熔析过程中,杂质和硅生成化合物是主要的杂质去除方式。提出一种以金属熔析法为基础的低温冶金硅净化工艺。     

A=40核区超形变转动带终止

用组态相关推转Nilsson—Strutinsky模型对^38K，^36Ar，^32,34S和^36Cl的超形变转动带结构性质进行了理论计算。在推转壳模型中，不同能级随三轴形变参数y变化时的变化情况，或向增加三轴形变方向的驱动作用是很不同的。因此，一个核素的核子处在不同的组态，即占据不同的单粒子能级，在不同的自旋时，一定会有不同的核形状。     

Cu-GaAs(110)界面的同步辐射光电子谱研究

本文用同步辐射光电子谱研究了在室温n型GaAs(110)解理面上蒸发淀积的Cu-GaAs(110)界面和肖特基势垒的形成.Ga3d和As3d光电子谱随Cu的厚度的变化表明:在小于0.5单原子层(ML)Cu时只观察到能带的刚性弯曲,并无明显的界面反应;在大于1MLCu时出现明显的界面反应,形成处于界面的金属Ga和处于Cu表面的As;Cu有岛状生长的迹象.由谱分解的结果确定了在3—60A Cu范围内界面费米能级的位置在导带底以下约0.9eV处.肖特基势垒在0.5MLCu时已大部分(～80％)形成,在3MLCu时就完全形成.讨论了Cu-GaAs(110)界面和肖特基势垒形成的机制.     

U原子能级

本文用MCDF方法对U原子5f~36d7s~2、5f~36d~27s、5f~36d7s7p、5f~26d~27s~2、5f~47s~2、5f~37s~27p和5f~46d7s组态的能级进行了计算,发现U原子一些偶宇称能级的组态标定是不正确的.