IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列适合要求超低导通电阻的工业应用

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,IR)近日推出具有超低导通电阻(RDS(on))的StrongIRFET功率MOSFET系列,适合各种工业应用,包括电池组、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、叉车、电     

Rhythm R3710：DSP系统

安森美半导体推出预配置数字信号处理（DSP）系统RhythmR3710,专为用于耳道内不可见（IIC）助听器设备而设计。RhythmR3710混合系统集成先进的语音及音频信号处理算法,采用安森美半导体先进的微型封装技术,使助听器制造商能够开发置于深耳道的极分立产品。     

综合新闻

ADI推出高功率与安全性的Blackfin处理器产品;Altera发售业界首款65nm低成本FPGA;Si Lab推出最高效能的小型徽控制器;安森美半导体扩充高性能时钟产生器;……[编者按]     

MAX9921：高度可靠的霍耳传感器接口集成方案

霍耳效应的原理是磁场与导体中流过的电流相垂直时,流过电流的导体两侧会出现电势差。霍耳效应传感器基于这一原理检测磁场的变化,输出与之成比例变化的电压,可以实现无接触检测,因此能够实现可靠的封装,不受环境因素的影响。     

全新赛普拉斯在线培训网站提供获取PSoC器件及其他可编程解决方案资源的途径

赛普拉斯半导体公司为使用公司PSoC可编程片上系统器件及其他可编程解决方案的设计人员推出了全新的在线培训资源。这个全新的培训网站包括一系列短期按需培训模块,使工程师们能够根据自己的时间随时观看;也包括归档的或实时的具有深度内容的网络研讨会（archived and live in-depth webinar）,可帮助设计人员深入了解所选技术与应用;此外设计人员还能注册参加当地举办的可动手操作的专题讨论会。     

士兰微电子300mm芯片生产线正式投产

士兰微电子位于厦门海沧的300mm芯片生产线于日前正式投产。该生产线项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营,项目总投资170亿元,规划建设两条以功率半导体芯片、MEMS传感器芯片为主要产品的300mm特色工艺功率半导体芯片生产线。第一条300mm产线,总投资70亿元,工艺线宽90nm,计划月产8万片。     

缺芯潮风波,加速功率半导体行业洗牌?

功率半导体主要用作电子元件中的开关及整流器,是硅、砷化镓、氮化硅等半导体材料在经过电学属性调整等一系列工艺后,所得到的电学元件。功率半导体的应用十分广泛,从几十毫瓦的耳机放大系统,到上千兆瓦的高压直流传输过程;从储能、家电,到IT 产品、网络通讯,只要是涉及电的领域,都存在它的身影。     

Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究

在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10~(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。     

任意形状散射体模型的建立和修正

文中提供了一种对任意形状导体散射体的原始数据进行分析修正,并最终形成可计算模型的方法。散射体的几何数据,通常包括重叠、空洞和相交等错误,它们必须在计算前予以修正。该文在AutoCAD环境,及其二次开发工具支持下,完成了自动检测,半自动地数据修正,最终得到了可计算的表面或实体模型。给出了计算实例以说明该方法的有效性。     

蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应

运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模拟了引入肖特基效应后,SBD的工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属-半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属-半导体接触的输运特性.