空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。     

用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且，其超声键合性尤佳     

适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料

研究了一种适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料，性能达到使用要求。在金浆中添加了少量合金元素，并选用混合型粘结剂。对金导体铝丝焊后热老化失效机理以及添加合金元素的作用，进行了讨论     

一种分析微带交指滤波器的新思路

本文提出一种直接用耦合多导体多介质结构传输特性计算微波滤波器的方法，它不但考虑了相邻导体，也考虑了所有非相邻导体间的耦合，因此计算精度大大提高。此外，它还可以计算不对称耦合，适应面宽。分区均匀介质填充多导体结构有多个不同传播常数的本征模。这与均匀填充多导体结构有很大差别，即不但要考虑本征阻抗，而且要考虑不同的传播常数。本文用矩阵电报方程求出它们的本征值与本征矢量，从而求得传输特性，最后用网络等效方法优化求得滤波器特性。本文还介绍了由不同宽度谐振腔组成的滤波器的设计     

多层介质中多导体拐角结构电容参数的提取

本文给出一种计算多层介质中多导体拐角互连结构的准静态电容参数的快速算法─—维数缩减技术（DRT），并和有限差分法相结合，快速、准确地提取了多层介质中多导体拐角结构的准静态电容矩阵。由于维数缩减技术能充分利用集成电路结构分层的特点，从而大大减少了计算所需的时间和存储空间。文中给出的计算结果与Ansoft软件的计算结果吻合得较好，而计算所需的时间和存储空间大大少于Ansoft软件。     

专访安森美半导体

音频对管方面的新技术和新产品一直是本刊关注的对象,也是许多发烧友热衷议论的话题。在全国的一些电子展中经常能看到各大知名半导体厂商的身影,这也是我们近距离了解其产品、刺探最新“情报”的好机会。     

安森美半导体针对便携式与消费电子应用推出超小型3MHz同步降压式直流-直流转换器

2007年01月30日-全球领先的高能效电源管理解决方案供应商，安森关半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN），推出两款专为便携式应用优化的高性能脉冲宽度调制（PWM）加脉冲频率调制（PFM）以及仅PWM功能的直流-直流转换器。提供超低波纹电压的无杂讯电压输出和快速的瞬态反应，新的NCP1523与NCP1523B相当适合如多媒体便携式播放设备中微型硬盘等注重功耗的应用。     

渐近波形估计技术在涂敷导体柱宽角度RCS快速计算中的应用

采用渐近波形估计技术 (AWE)和矩量法相结合的方法 ,计算了TM波入射下表面涂敷有耗介质的导体柱的宽角度单站RCS ,本方法首先采用矩量法求解由电磁场等效原理得到的介质层表面等效电磁流耦合方程 ,得到柱体在某一给定方向入射波照射下的电流和磁流密度 ,然后采用渐近波形估计技术将任意角度入射波照射下的电流和磁流密度在给定的角度附近按Taylor级数展开 ,通过Pad埁逼近将Ｔａｙｌｏｒ级数转化为有理函数 ,由此可以得到涂敷导体柱在任意角度TM波入射下的电流和磁流密度 ,进而可以得到柱体的宽角度RCS。此方法得到的结果与由MOM计算的结果完全吻合 ,而AWE的计算效率却提高了一个数量级。     

薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流

在对体硅MOSFET高温泄漏电流研究的基础上,深入研究了SOI材料MOSFET泄漏电流的组成、解析式及高温模拟结果,并与体硅MOSFET进行了比较,证明薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流明显减小,因而在高温领域中有着广阔的应用前景。     

InP中皮秒快速现象

利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命，观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ，掺锌ＩｎＰ中载流子寿命３８ｐｓ居中，掺硫和掺铁的寿命最短约１ｐｓ掺硫、铁和锌的ＩｎＰ中载流子寿命下降，是由于掺杂引入了复合中心，这一结果已被喇曼光谱所证实。