美国电子辐射设备专家来北院交流

2004年5月28日美国Wasik电子辐射加工设备公司总裁Pet，erT．Wasik和美国SCI公司总裁Timothy’Weckesser一行二人在天津国际科技咨询公司谷世宁先生陪同下来北京橡胶工业研究设计院(以下简称北院)进行交流访问，由本刊编辑部负责此次交流活动的组织接待。     

低温热水地面辐射供暖的实践与思考

低温热水地面辐射供暖普及较快。它是将采暖热水管道埋在地面下,进行低温热水循环的供暖系统。本文就这项技术谈谈在具体实践中的感受和一些不成熟的想法,供同行们研究和探讨,以使这项技术在不断完善中为民造福。     

一种红外辐射电热踢脚线板的制备方法

本发明是一种红外辐射电热踢脚线板的制备方法，其特点是以陶土或水泥和导电石墨碳粉、导电碳纤维粉或其混合物制成电热层，或者直接用导电纤维板或导电纤维布作电热层，     

基于RSSI测距误差修正的方法

基于RSSI的测距是一种低成本的距离测量技术。在分析影响RSSI测距误差的因素后,根据实际情况设计一种用于修正RSSI测距误差的方法,以减少由各种综合性因素引起的测距误差给节点定位带来的不良影响。理论分析和仿真结果表明,该修正方法可以有效地降低节点的定位误差。     

辐射固化涂料

200707060防反射层用的可固化组合物;200707061透明、耐磨、耐划伤、辐射固化倍半硅氧烷涂料组合物，其保护层形成方法及其层压件;200707062在基材上制备交联有机涂膜的方法;200707063对金属、玻璃和塑料底材附着力优异的辐射固化树脂组合物;200707064丙烯酸酯型耐高温可UV固化的电缆护套.     

火花点火装置的辐射干扰及对策初探

本文概述了内燃机火花点火装置辐射干扰产生的原因和影响后果,对辐射干扰的特性作了初步分析,并探讨抑制干扰源的方法和电子设备的防护措施。     

一款新型太阳辐射测量仪的结构设计与热仿真

近年来由于人类生产活动日益加剧,引起的大气气溶胶和臭氧等大气粒子含量的变化对全球气候变化有着重要影响.为了监测上述大气粒子含量,在总结国内外研究现状的基础上,提出使用合理的温控结构来设计制造一款新型多波段太阳辐射测量仪,用来适应国内纬度跨越大、温差大的工作环境.新型太阳辐射测量仪涵盖可见-红外波段,采用九个带通滤光片分别对应两个光电探测器的结构,可以避免探测器相互定标引起的定标误差并减少定标工作量.经ANSYS Workbench热-力耦合仿真,上述太阳辐射测量仪所采用的温控结构在两个极端温度条件下的变形量满足设计要求.     

具反馈控制和Holling-III类功能反应的修正Leslie-Gower捕食系统研究

利用微分方程比较原理和构造适当的Lyapunov函数研究具反馈控制和Holling-III类功能反应的修正Leslie-Gower捕食系统,得到了保证系统永久持续生存和全局吸引的充分性条件,所得的结果补充了文献[6]的工作.     

汽车ABS的辐射抗扰度研究与试验

ABS(Anti-lock braking system)在当今汽车中得到了广泛的应用。面对越来越复杂的电磁环境,其工作性能是否持续可靠是很值得关注的。文章搭建了ABS的EMC试验平台,对轿车防抱死制动系统的电磁抗干扰性能进行系统的测试和分析,试验中发现:在20 MHz^400 MHz范围内的某些频点,ABS会受强电场干扰而发生误动作。所发现问题为制造商或零部件研发工作者后续改进工作方向提供了依据。     

Recent progress of CERN RD50 Collaboration

The objective of the CERN RD50 Collaboration is to develop radiation hard semiconductor detectors for very high luminosity colliders, in particular, for the upgrade of the large hadron collider （LHC） which itself is scheduled to be operational in 2007. The approach of the RD50 has two major research lines, material engineering and device engineering. These are further subdivided into projects covering defect characterization and engineering, new detector materials, detector characterization, new detector structures and full detector systems. Presently, 264 members from 53 institutes are actively participating in the RD50 Collaboration. Detectors made of defect engineered substrates, e.g. high resistivity magnetic Czochralski （MCz-Si）, epitaxial silicon （Epi-Si） on Czochralski silicon （Cz-Si） substrate, intentionally thermal donor （TD） compensated p-type MCz-Si and oxygen enriched （DOFZ） silicon, have been demonstrated by the RD50 Collaboration. An overview and highlights of the results of these defect engineering techniques were given in this report.