全彩色LED显示屏的计算机辅助调校方法

阐述了全彩色LED显示屏的结构与基本工作原理,并根据人的视觉特点和LED的显示特性,给出了用笔记本式计算机和SpyderTV套件调校全彩色LED显示屏的方法,包括调校前的基本设定以及精确地检测全彩色LED显示屏画面的色温、亮度、对比度、色饱和度、色调等光度特性.应用表明,该方案具有很高的可靠性与易用性,经过调校的金彩色...     

基于层次模糊决策的雷达装备测试性综合评估

针对目前雷达装备定型、交付验收时缺乏系统有效的测试性评估方法的问题,提出了基于层次模糊决策的雷达装备测试性综合评估模型。首先,从现代雷达装备测试性设计的根本任务和实现目标出发,建立了较为全面的雷达装备测试性评估指标体系。在此基础上,将层次分析法与模糊数学的方法引入到测试性评估中,以某型雷达装备验收时测试性定量验证和定性检查情况为例,对雷达装备测试性进行了综合评估。结果表明,该评估模型简单、实用、有效,为复杂武器装备的测试性评估提供了新思路。     

LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究

采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试.通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响.结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典...     

基于场景自适应收敛非均匀性校正方法

收敛问题是基于场景非均匀性校正算法的一个共性问题,提出了一个能够自适应收敛的非均匀性校正算法,该算法的一个特点是只对非均匀性空间频率的高频部分进行处理,详细论述了该处理的优点,同时还提出了一个控制收敛速度的因子,使得算法的收敛速度根据场景的动态范围自动调整,这将很大程度的改善基于场景非均匀性校正算法收敛特性,最后通过实验数据论证了该算法的性能.     

“置身其中”谈单片机教学方式改革

单片机原理与应用作为一门专业基础课程,在很多的工科专业都有开设,但是长期固化的教学模式使得这门课程的教学质量并不很高,很多学生徒有满腔的理论知识却对实际工程任务无从下手,或者对于实际设计中存在的问题无法解决。种种这些现象都源于我们对这门课程的教学模式。作者从 多方面对于单片机原理与应用教学方式存在的弊病进行了阐述和加以剖析,并提出相应的改革建议与意见。     

体系化的飞机/悬挂物电气连接系统技术研究

针对国内各类飞机平台与大中型、小型及微型等武器类悬挂物在设计集成时飞机/悬挂物电气接口通用化水平亟需提高的问题提出了一种系统化的解决方案.首先,阐述了国内外飞机/悬挂物电气连接系统相关技术的发展趋势及相关标准的发展情况;然后,分析了飞机/悬挂物电气连接系统标准簇的组成及其信号组的演变情况;最后,提出了飞机/悬挂物电气连...     

基于MOPSO-NSGA2算法的测试优化选择方法

测试优化选择是测试性设计至关重要的一个步骤,主要针对测试不可靠条件下的测试优化选择问题进行了研究.首先将该问题还原为多目标问题来分析,在此基础上以测试数量、测试成本、虚警率为目标,故障检测率、隔离率为约束条件建立了问题的数学模型;然后以贝叶斯网络测试性模型为基础,利用提出的MOPSO-NSGA2算法求解该问题;最后利用所提算法对某导弹机载无线电高度表开展测试优化选择设计,并与MOPSO算法、NSGA-2算法进行对比,验证了方法的有效性与实用性.     

掺杂铒改性铝酸镧的制备及荧光性研究

通过溶液燃烧法制备了一系列不同比例Er掺杂的LaAlO3∶ Er3+(Er3+:La=0.10,0.15,0.20,0.25)的纳米材料,并对样品进行了 X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、扫描电镜(scan-ning electron microscopy,SEM)、紫外-可见(ultravio...     

衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响

硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO2层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响.对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比.衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线.进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大.综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性.     

n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制

通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响.采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性.