硅表面上的纳米量子点的自组织生长

纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

瑞法科学家研究出量子非破坏（QND）测量技术

瑞法科学家研究出量子非破坏（ＱＮＤ）测量技术据美国《Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．》报导，瑞典斯德哥尔摩皇家技术研究院和法国巴黎附近的奥尔墨理论与应用光学研究所的研究小组，各自独立研究出了从光束中提取信息然后再复制出含有相同信息的原光束的技术，这两个小...     

超微粒乳剂的制备及量子尺寸效应的研究

本文制备了四种不同粒度的超微粒AgBr照相乳剂,用X射线衍射技术对其粒子的大小进行了测定;观察到乳剂的紫外吸收峰随晶体颗粒的减小表现出逐渐蓝移;本文提出晶体表面的悬键的存在使得纳米晶体的平均键能升高,并对纳米AgBr乳剂的量子尺寸效应进行了解释。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

激光器绝热啁啾对光纤通信系统传输特性的影响

通过理论分析、实验和计算机模拟得到：进行直接强度调制时，体块型DFB激光器的总微分量子效率（与多量子阱DFB激光器相比）过低，从而导致其绝热啁啾占激光器啁啾的主要部分；用于无再生中继距离较大的强度调制／直接检测（IM／DD）光纤通信系统时，色散效应将导致信号脉冲上升沿压缩，使系统误码率增加。据此建议：在无再生中继距离大于100～120km的常规单模光纤IM／DD系统中，应采用多量子阱激光器。     

SDH中泊松分布下误块率与误码率的关系分析

本文较详细地介绍了ＳＤＨ中的ＢＩＰ误码校验方式，推导了泊松分布下，ＢＩＰ误块率与误码率的一般关系式，给出了ＳＤＨ中几种典型的误块率与误码率的关系曲线，并做了计算机模拟验证