全文获取类型
收费全文 | 10024篇 |
免费 | 1050篇 |
国内免费 | 1773篇 |
专业分类
电工技术 | 524篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 1123篇 |
化学工业 | 479篇 |
金属工艺 | 111篇 |
机械仪表 | 366篇 |
建筑科学 | 97篇 |
矿业工程 | 46篇 |
能源动力 | 96篇 |
轻工业 | 213篇 |
水利工程 | 24篇 |
石油天然气 | 46篇 |
武器工业 | 76篇 |
无线电 | 6218篇 |
一般工业技术 | 1005篇 |
冶金工业 | 103篇 |
原子能技术 | 117篇 |
自动化技术 | 2202篇 |
出版年
2024年 | 119篇 |
2023年 | 440篇 |
2022年 | 473篇 |
2021年 | 508篇 |
2020年 | 390篇 |
2019年 | 413篇 |
2018年 | 245篇 |
2017年 | 355篇 |
2016年 | 352篇 |
2015年 | 473篇 |
2014年 | 711篇 |
2013年 | 599篇 |
2012年 | 684篇 |
2011年 | 696篇 |
2010年 | 620篇 |
2009年 | 585篇 |
2008年 | 741篇 |
2007年 | 567篇 |
2006年 | 535篇 |
2005年 | 498篇 |
2004年 | 389篇 |
2003年 | 355篇 |
2002年 | 298篇 |
2001年 | 283篇 |
2000年 | 222篇 |
1999年 | 165篇 |
1998年 | 158篇 |
1997年 | 167篇 |
1996年 | 126篇 |
1995年 | 128篇 |
1994年 | 134篇 |
1993年 | 102篇 |
1992年 | 87篇 |
1991年 | 78篇 |
1990年 | 67篇 |
1989年 | 51篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 3篇 |
1980年 | 3篇 |
1977年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
61.
62.
63.
64.
65.
66.
67.
多孔硅发光机制的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应,推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了PS光致发光的实验现象。 相似文献
68.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性.分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K下CdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行了比较,结果进一步支持了本文的结论.还测量了费密迪奇异随温度的变化,结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─V族材料强得多. 相似文献
69.
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱,并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。 相似文献
70.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K和GdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行比较,结果进一步支持了本文的结论。还测 相似文献