VO_2热色智能玻璃研究进展

二氧化钒(VO2)是一种受人关注的热致变色材料,在68℃时发生从半导体相-金属相的转变,且相变可逆。在介绍智能玻璃在建筑节能中潜在应用的基础上,重点阐述了VO2纳米薄膜应用于智能型节能玻璃的国内外研究进展。较全面地论述了利用光学减反射技术提高VO2智能玻璃可见光透过率的技术现状。总结了VO2智能玻璃在实际应用中存在的技术难点:节能效率偏低、薄膜沉积温度高、外观颜色不美观、保温性能上的缺陷等。展望了VO2智能玻璃的研究与应用前景。     

4H-SiC钒离子注入层的特性

研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性，注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取. 采用一种台面结构进行I-V测试. 钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大，常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2E9～1.6E10Ω·cm和2.0E6～7.6E6Ω·cm.     

液晶光阀复合光吸收层的吸收系数研究

用传统的热蒸发的方法制备了厚度为800 nm,结构为S iO+CdT e+VOPc+CdT e+S iO的新型液晶光阀复合光吸收层。分析了液晶光阀对光吸收系数的要求。得到了在最优的工艺条件下红绿蓝三色的吸收系数达到Rα=7.8×105cm-1、αG=6.8×105 cm-1、αB=7.2×105cm-1的液晶光阀复合光吸收层。     

测辐射热计的微桥研制和Vox膜成膜研究

介绍了测辐射热汁的工作原理、器件结构的几何形状和研制状况,叙述了测辐射热计材料的特性及制备技术.     

基于VO_2薄膜非致冷红外探测器性能研究

用微电子工艺制备了 V O2 溅射薄膜红外探测器 ,在 2 96 K的环境温度中测试了该探测器对 8- 12 μm红外辐射的黑体响应率和噪声电压 ,结果显示该探测器在调制频率为 30 Hz时可以实现探测率 D*=1.89× 10 8cm H z1 /2W- 1 ,热时间常数 τ=0 .0 11s的非致冷红外探测     

纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究

采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2 O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体.通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析.结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95％Ar,5％H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大.     

非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜制备研究

主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜,通过设计正交实验,获得了氧化钒薄膜的最佳制备参数,分析了各个制备参数对氧化钒薄膜成分以及TCR的影响,研究了硅衬底上氧化钒薄膜电阻温度系数与电阻之间的关系.     

低成本微型传感器计划

低成本微型传感器计划的目标有两个。第一个目标是利用640×512规格的非致冷氧化钒(VO_x)焦平面研制并提供一种远距离红外传感器;第二个目标是利用160×128规格的氧化钒焦平面列阵研制一种可一次性使用的微型传感器。640×480规格的传感器用以执行远距离的监视和目标瞄准任务,是一种可重复使用的贵重仪器。160×120规格的传感器则是为要求微型化以及低成本和低功耗的应用而设计的,同时也是为一次性的军事应用而设计的。这种研究工作的目的是进一步降低非致泠红外传感器的成本,进一步减小它们的重量和功耗,提高它们的性能,从而提高它们在以前热成像技术从未涉及的军用和民用市场中的适用性。     

脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究

室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面;X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化;对薄膜的热敏电学特性测试发现,在293～368 K,小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制.     

云母表面不同厚度VO2薄膜的红外光学特性

以天然白云母的解理面为基底,采用无机溶胶-凝胶法在其表面制备不同厚度的VO2薄膜,并研究了厚度对VO2薄膜的微观结构和红外光学特性的影响.利用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构,利用原位FTlR分析了VO2薄膜半导体-金属相变特性.结果表明,云母表面VO2薄膜室温下具有(011)择优生长取向,随着厚度增...