ITO／PLZT薄膜湿法刻蚀研究

介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。     

应用近红外技术直接检测烟丝常规化学成分的研究

为了探讨近红外光谱分析技术直接检测烟丝常规化学成分的可行性,利用采集到的烟丝近红外光谱,采用偏最小二乘法(PLS)对测定烟丝样品的总糖、还原糖、烟碱、总氮、钾、氯含量数据与其相应的光谱数据进行拟合,建立了直接用于预测烟丝总糖、还原糖、烟碱、总氮、钾和氯含量的NIRS分析模型,平均相对偏差分别为2.2%,2.37%,1.82%,2.22%,3.68%和3.30%,变异系数均小于3.5%。该模型预测准确性和重现性较高,简便、快速,适用于批量烟丝检测,尤其是无需研磨烟粉,进一步减少了粉尘的污染,可以直接用于卷烟产品叶组配方质量监控。     

聚合物辅助水热法合成钽铌酸钾纳米晶

以Nb2O5和Ta2O5为前驱反应物,KOH为矿化剂,采用水热法和聚合物辅助水热法两种合成工艺制备了KTa0.25Nb0.75(KTN)纳米晶。通过X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(FEM)等技术,对合成产物进行了系统的研究。实验结果表明,表面活性剂聚乙烯醇(PVA)的量和矿化剂KOH的摩尔浓度是影响KTN纳米晶微观结构和形貌的关键因素。采用单纯水热工艺制备的KTN粉体,当c(KOH)达6mol/L、反应温度为200℃及反应时间24h,可生成纯钙钛矿相KTN。在较高碱度条件(c(KOH)=8mol/L)下,表面活性剂PVA的量不改变水热反应最终产物,但晶粒尺寸随表面活性剂量的加大逐渐减小。在较低碱度条件(c(KOH)=4mol/L)下,加入适量的表面活性剂PVA有利于在较温和条件下生成纯钙钛矿结构KTN纳米晶。     

锆钛酸铅纳米陶瓷粉体的低温水热合成

使用TiO2粉体、ZrOCl2.8H2O、Pb(NO3)2为原料,KOH为矿化剂,Pb/(Zr Ti)=1.0,在160℃下反应3 h,获取了分散性较好的锆钛酸铅纳米粉体。用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜等测试手段分析了实验结果,结果表明,所得锆钛酸铅纳米粉体颗粒为四方晶相钙钛矿结构,呈立方体状,粒子粒径为0.5~2.0μm,同时分析了在本实验条件下锆钛酸铅纳米粉体可能的合成机理。     

阑钛酸铅铁电薄膜成膜机理探讨

采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅铁电薄膜进行了热处理，用扫描电对不同热处理工艺和不同厚度的ＰＬＴ薄膜的形貌进行了分析。结果表明，快速热处理工艺有利于活性高，较薄膜层的结晶和致密化反应；ＰＬＴ薄膜在传统和快速热处理过程中的形成过程与蒸发和溅射薄膜的核生长型薄膜的形成过程相似；薄膜的形成经历了岛状－网状－连续的过程，即随层数的增加，薄膜从不连续转变为连续，而热处理工艺只     

钛酸锌硫敏陶瓷高温脱硫过程中的结构及性能变化

钛酸锌硫敏陶瓷高温煤气脱硫剂以ＴｉＯ２和ＺｎＯ为基本原料,混合并流共沉淀制备在１１８０℃高温下烧成。在真实流化床空气煤气及模拟配合气气氛条件下,完成１００循环次,累计３００ｈ固定床寿命实验,物理及化学损失可忽略不计,硫容恒定,但脱硫剂结构发生变化,结晶度降低,由于使用过后的“赝形态”脱硫剂仍然存在着物质的表面迁移和体积迁移两类迁移结构,所以重新实施高温煅烧,脱硫剂发生晶格质点重排,归位,进而使晶格     

钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。