锰掺杂对PNW-PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti，Zr)O3-xMnO2压电陶瓷，分析了经1150℃烧结2h制备的陶瓷样品的相结构组成。实验结果表明：所有陶瓷样品均为钙钛矿相，未发现其它晶相。随着锰掺杂量的增加，陶瓷晶粒逐渐长大。研究了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷介电和压电性能的影响。结果表明：随着锰掺杂量的增加，材料逐渐变“硬”，当MnO2掺杂量少于0．2％(按质量计，下同)时，相对介电常数εr、压电常数d33和机械品质因数Qm逐渐增加，介电损耗tanδ减小；当MnO2掺杂量多于0．2％时，εr、d33和Qm逐渐降低，tanδ增加。随着锰掺杂量的增加，机电耦合系数kp和Curie温度θc逐渐减小。MnO2掺杂量为0．2％的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其压电性能为：εr=2138，tanδ=0．0058，kp=0．613，Qm=1275，d33=380pC／N和θc=205℃。     

硫酸法钛白粉生产中钛液的分析和铁分离

以硫酸法钛白粉生产工艺中间体浓钛液(硫酸氧钛)和偏钛酸为原料,分析了浓钛液中二氧化钛和铁的含量。总Ti的测试采用Al片还原法和高铁盐氧化还原滴定法,浓钛液中Ti3 直接用高铁盐氧化还原滴定法测定,铁含量用KMnO4氧化还原滴定法进行分析。采用无机陶瓷膜洗涤分离方法考查了水解后偏钛酸中的除铁效率,利用分光光度法和火焰原子吸收法分别测定洗涤液和二氧化钛粉体中的铁含量。试验表明,无机陶瓷膜洗涤分离方法可以将二氧化钛粉体中铁含量降到30×10-3‰以下,煅烧后产品白度大于94。陶瓷膜洗涤工艺可以实现连续操作,是一种值得推广的新工艺。     

0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3的析晶行为及助溶剂法生长

研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只有适当比例的。PbO助溶剂比较适合于生长具有铁电性的钙钛矿相PZNT91/9单晶。助溶剂法生长的工艺参数为:溶质与PbO助溶剂的摩尔比为l:l,泡料温度1 150-1 200℃,泡料时间10 h,晶体生长时降温速度0.8-2℃/h,当温度降到900℃时停止生长,以50℃/h快速冷却至室温。所得晶体为琥珀色,最大尺寸达φ30 mm×15 mm,其压电系数和机电偶合系数分别为2000 pc/N和0.92。     

复分解法制备磷酸二氢钾的研究

介绍了以工业氯化钾和工业磷酸为基本原料，采用复分解法，在氯化钾过量的情况下，加入氨水作为pH值调节剂，制备磷酸二氢钾（KH2PO4）的研究。产品含量大于92％，原料转化率（以磷酸计）大于85％，无三废产生。     

聚醚多元醇中间品钾（钠）离子的快速测定方法

本法采用乙醇水溶解试样，以经过处理的无钾，钠离子聚醚鸩元醇作为基体，配制标准样品，用火焰光度法检测聚醚多元醇中间品的钾（钠）离子的含量。由于样品处理简单，应用浓度直读取数据，可快速准确地测定试样，适用于聚醚多元醇生产过程中间品的检验。     

浅析AC发泡剂生产的碱耗和省碱技术

本文概况了尿素法AC发泡剂的生产过程中中间产品的流失途径及副反应的产生原因对AC收得率(以碱计算)的影响以及省碱技术进行了分析.     

掺Li_2O–B_2O_3–SiO_2玻璃低温烧结MgTiO_3–CaTiO_3陶瓷及其微波介电性能

研究了Li_2O–B_2O_3–SiO_2玻璃(LBS)对MgTiO_3–CaTiO_3(MCT)介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响,分析了MCT陶瓷与银电极的共烧行为。结果表明通过液相烧结,LBS能有效降低MCT烧结温度至890℃。X射线衍射结果显示有Li_2MgTi_3O_8、硼钛镁石以及Li_2TiSiO_5等新相生成。随着LBS添加量的增大,陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低,介电常数εr、品质因数与谐振频率乘积Q×f也呈现下降趋势,频率温度系数τf向负值方向移动。添加质量分数为20%的LBS的0.97MgTiO3–0.03CaTiO3陶瓷在890℃烧结4h,获得最佳性能εr=16.4,Q×f=11640GHz,τf=–1.5×10–6/℃。陶瓷与银电极共烧界面结合状况良好,无明显扩散。该材料可用于制造片式多层微波器件。     

Yb3+掺杂KLa(WO4)2激光晶体生长与光谱分析

采用提拉法生长出掺镱钨酸镧钾[Yb:KLa(WO4)2,Yb:KLW]晶体,测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,对出现的振动模式进行了归属.从X射线衍射分析得到晶胞参数a=b=0.532 nm,c=1.189 nm.通过热重-差热分析得到晶体的熔点为1 119 ℃,在熔点以下没有相变.测试了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算了相应的光谱参数.结果表明:该晶体发射波长为1 021 nm,在931,981 nm附近有较强、较宽的吸收峰,适合用InGaAs半导体激光泵浦.     

减少不溶性物质提高钾碱质量

针对固体钾碱产品中不溶性物质较多影响产品质量的问题，提出对固碱成型、包装及涮锅水处理工艺的改造，同时强化管理，优化工艺操作方法，实现了产品质量的稳步提高。