新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

浅谈水处理缓蚀阻垢剂

1.无机、有机或简单复合的单一制剂 缓蚀剂：主要有铬酸盐、聚磷酸盐、钼酸盐、锌盐等单一缓蚀剂和聚磷酸盐-锌盐、铬酸盐-锌盐、锌盐-膦酸盐等复合缓蚀剂.     

利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定，无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统，其表面电场强度均匀（UId），发射电流密度、总电流与发射面积成正比：对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks，一个与两极距离和球半径之比（d/r）相关的函数，其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0，ks=1，d≥r的情况，ks接近于常数。对于10〈d／r〈100的情况，存在一个经验的表达式：ks=1＋0．15d/s=0．005（d／r）^2。在引入ks后，不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述：I=a（E-Eo）^b，a，b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。     

3G复合USIM卡助力TD-SCDMA实网测试

大唐微电子技术有限公司近日宣布，其研发的3G复合USIM卡已经被TD-SCDMA实网测试采用。11月中旬，TD-SCDMA网络开始放号，北京等5个TD-SCDMAN试点陆续有专业用户开始使用TD-SCDMA手机，对TD-SCDMA网络进行全面检验。在此次实网测试中，大唐微电子公司提供了由其自主研发的3G复合USIM卡，目前使用状况良好。目前，大唐微电子公司是国内最具备3G卡研发实力的智能卡解决方案供应商之一，可以提供支持WCDMA、TD-SCDMA、CDMA2000网络的各类3G智能卡。     

高导电性原油电脱盐工艺研究

南阳原油中金属含量较高,掺有部分3次采油采出原油,加工时易造成电脱盐装置原油乳化,电导率高,脱盐难度较大。装置投产十几年来脱后含盐一直不合格,经过改造仍然超标,常压塔顶腐蚀严重。为此,对原油进行了电脱盐工艺条件及破乳剂研究,研制出了高效电脱盐设备和生物复合脱盐剂及降电流剂,采用平流弓形电极进行改造,解决了该原油的电脱盐问题,使脱后含盐达到3 mg/L。     

新型辅助稳定剂--液体β-二酮开发成功

一种广泛用于液体钙锌、液体钡锌、液体钡镉锌及稀土复合稳定剂的新型辅助稳定剂——液体β-二酮T-247由山西省化工研究所开发成功并投入生产。 该产品对于提升国内液体金属皂类复合稳定剂的档次将产生重要影响。 新型液体β-二酮T-247采用独特的合成技术及复合技术,具有无异味、易混配的特点。 其     

复合固体超强酸SO42-/Fe2O3-γ-Al2O3催化合成丁酸丁酯

采用沉淀硫酸化法制备了复合固体超强酸催化剂SO2-4/Fe2O3-γ-Al2O3,确定了其最佳制备工艺条件:硫酸浸渍浓度为0.6 mol/L,浸渍时间4 h;焙烧温度550℃,焙烧时间3 h.并采用该催化剂合成丁酸丁酯,考察了物料配比、催化剂用量和反应时间对酯化反应的影响,确定了丁酸丁酯的最佳合成条件:丁醇与丁酸摩尔比为1.4:1,催化剂用量0.9%(以反应物质量计),回流条件下反应3.0 h,在此最佳合成条件下,酯化率可达95.6%.