用鼓风炉连接冷凝窑的设备提炼锌等有色金属的方法

本发明涉及国际分类中F27B通用的炉窑和C22B冶金技术领域。主要特征是由炉壁、炉衬组成封闭的鼓风炉与窑壁、窑衬、窑室组成的冷凝窑，通过气道对接构成冶炼设备的整体结构。矿料在鼓风炉中1400—1500℃时产生炉气B，进入冷凝窑中，又于多个窑室中按不同温区，冷凝回收锌、铅、铜、银等有价金属。基本工艺流程：矿料预热焙烧-入炉-冶炼-气化-冷凝-回收-产品。本发明具有结构简单、易操作、体积小、功能大、适应范围广等特点。特别适合于从低品位氧化锌矿石或非矿石（矿渣、烟尘、废料等）材料中提取锌等有价金属。     

解读ISO12944-5：2007

简要介绍了ISO12944-5：2007与1998旧版的一些区别和调整，列出了在大气腐蚀环境下的推荐防护涂料体系。     

2007年锌市场评述和2008年展望

一．总论 2006年锌是有色金属市场的明星，供应紧张、需求快速增长和流动性过剩共同推动锌价暴涨。然而，由于全球锌工业进入门槛比较低，高价很快刺激了供应，2007-2009年全球锌矿业投资进入历史增长最快的时期之一，2007-2008年全球锌矿产量和锌金属产量都高速增长，     

用次灵敏线原子吸收光谱法测定镍精粉中高含量的镍

研究了采用镍305.1nm次灵敏线测定镍精粉中高含量镍的分析条件,样品经三酸溶解后,定容到一定体积,可不经稀释直接用原子吸收光谱法测定。此法简便、快速、精密度和准确度良好,用于镍精粉及低冰镍中高含量镍的测定,结果满意。     

Study on Luminescence Properties of High-Density Phosphors BiTaO4：Pr^3＋ and BiTaO4

The photoluminescence properties of BiTaO4:Pr^3 and BiTaO4 at room temperature were studied, and the infrared transmission and diffusion reflection spectra of BiTaO4 were measured. The photoluminescence spectrum of BiTaO4 peaks at about 420, 440 and 465nm. There has an obvious excitation band from 330 to 370nm. The photoluminescence spectrum of BiTaO4:Pr^3 consists of the characteristic emission of Pr^3 , and its main peak is at 606 nm from ^3P0→^3H6 transition of Pr^3 . Its excitation spectrum consists of the wide band with maximum at 325nm, the wide band in the range of 375-430nm, and the characteristic excitation of Pr^3 .The bands at 325nm and 375-430nm may be from the absorption of the charge transfer transition of the tantalate group and defect energy levels in its forbidden band, respectively.There is energy transfer from host to Pr^3 . Because both the host density and photoluminescence peak intensity of BiTaO4:Pr^3 are superior to PbWO4, BiTaO4:Pr^3 may be a potential heavy scintillator.     

不同锌钛比对纳米钛酸锌（ZnO—TiO2）体系成分的影响

以工业偏钛酸、硫酸锌、氨水为主要原料，用直接沉淀法并进行热处理得到钛酸锌粉体，并用XRD对产物成分进行了检测。结果表明，不同的锌钛比对钛酸锌（ZnO-TiO2）体系的成分有较大影响。     

以"硫锌-30"为光亮剂的铁丝镀锌工艺的维护

1 概况 以"硫锌-30"为光亮剂的硫酸盐铁丝镀锌工艺已广泛推广近十年了,该工艺以配方简单,易控制,镀层光亮,附着力强,并且均匀一致,装饰效果好等,深受拔丝行业各厂家的欢迎.     

电子材料

提升OLED发光效率磁性掺杂技术显神威；康宁扩充在华光纤生产厂；国产新型12英寸无位错硅单晶生长设备研制成功；中科院物理所合作建立国内首条碳化硅晶片中试生产线；NEC小型薄型高频砷化镓开关IC用于高速无线通信……