γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究

针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展射线对中波碲镉汞（HgCdTe）光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad（Si）照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。     

应用LIBS技术检测食盐中的镉

为了实现食盐中重金属镉(Cd)的快速定量检测，以193nm的自制准分子激光器作为激发光源，通过外部添加重金属元素Cd制作了8组食盐样品，采用激光诱导击穿光谱(LIBS)技术，选取Cd Ⅰ228.8nm特征谱线作为分析线，进行了理论分析和实验验证。结果表明，延迟时间为1.5μs时，能够获得较好的光谱强度和信背比；谱线强度与Cd的质量分数具有很好的线性关系，拟合度为0.984，预测相对误差小于7%，检测限为0.65mg/kg。LIBS检测技术不仅具有快捷方便、无需繁琐样品准备等优点，而且具有较高的检测精度，是一种在食品安全快速检测领域中非常新颖的、有潜力的检测技术。     

离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进

高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻蚀角度和使用三栅离子源,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碲镉汞刻蚀图形的剖面轮廓并计算了深宽比.分析了这些工艺方法对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于获得高深宽比的离子束刻蚀沟槽的实验结果.     

金属氧化物对镉电极的影响

本文研究了几种金属氧化物对镉电极活性物质利用率以及对密封Cd/Ni蓄电池荷电保持能力的影响。结果表明,镉电极中添加MgO、ZnO和Fe_2O_3可提高活性物质利用率;添加o_2O_3则显著降低活性物质利用率。MgO、In_2O_3和ZnO的添加,提高了密封Cd/Ni蓄电池的荷电保持能力;Co_2O_3和Fe_2O_3的添加,降低了其荷电保持能力。最后,探讨了MgO和ZnO在镐电极中的适宜添加量。     

镉镍电池屏新线路探讨及实验研究

为克服镉镍电池屏原线路充电过程中对电池造成的不良影响,新线路介绍了一种新型电池充电方法。     

分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究

报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．     

爱立信开关电源充电器

<正> 为爱立信788移动电话4.8V 650mA镍镉电池充电的国产配套充电器电路如附图所示。它由两部分组成。图(a)为将90～240V 50Hz或60Hz的交流电转换成7V直流电的开关电源电路,外壳上标明的额定功率为10W。图(b)所示电路使7V直流电源提供两路(A、B)输出,同时为两块电     

氦－镉激光器的失效机制

本文报道国产氦－镉激光器常出现的导致失效的一些现象，并阐明其机制。同时给出一些改进意见及修理方法。     

非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法

介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法，并与通常的光电导衰退法进行了比较。