电气电子产品中禁用危险化学品

根据2006年7月1日生效的一项立法要求，在欧盟范围内销售的电气和电子产品中将不再允许含有某些有害物质。被禁用的物质包括重金属镉、六价铬、铅和汞、以及溴基阻燃剂多溴二苯（PBD）和多溴二苯醚（PBDE）。欧洲委员会组织的一项研究表明这螳物质对人体有直接的危害，排放到环境中后则造成环境风险。欧洲委员会曾经将十二溴代二苯醚（DecaBDE）排除在禁令之外，由此导致欧洲议会在2005年1月提出对欧洲委员会的法律诉讼。     

城市污水中重金属分析

城市污水中重金属研究始于20世纪70年代,是一个由地学、生物学、化学、环境科学、农学、医学等相互交叉,融合渗透的活跃领域,城市污水中重金属具有很大的危害性。因此,重金属在环境中的含量水平、分布规律、存在形态、迁移转化、生物效应和对人体健康影响,以及防治对策都引起人们的广泛关注。震惊世界的日本水误病和疼痛病就是分别由含汞废水和含镉废水污染环境所造成的。     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

电沉积法制备镉靶

对加速器生产^111In所用镉靶制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素，确定了最佳工艺条件。所研制的镉靶厚度大于57mg/cm^2，表面光亮、致密、牢固。     

蒸发氧化法制备高品质活性氧化镉粉末

开发了高品质活性氧化镉粉末的制备工艺，系统地探索了工艺条件对氧化镉电池材料电化性能的影响。对样品进行了物化性能及电性能检测，结果表明，采用蒸发氧化法可制备出镍镉充电电池用高品质活性氧化镉粉末。     

非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法

介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法，并与通常的光电导衰退法进行了比较。     

布里兹曼法碲镉汞（Hg1—xCdxTe）晶体生长过程热场的数值分析

用控制容积法对布里兹曼碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考。