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Photocyclovoltammetric experiments with films of poly(3-methylthiophene) under polychromatic light irradiation show a p-type semiconductor behavior in the reduced state, with a flat band potential of 0.18 V. The photocurrent depends on film thickness and surface morphology. Films with different thickness were characterized by scanning electron microscopy, indicating a globular morphology with globule sizes changing according to the charge density used during polymer deposition. The highest photocurrent is observed for the lowest globule diameter. These films were also irradiated with monochromatic light from the electrolyte side and from the substrate side. A higher photocurrent and a photocurrent spectrum matching the absorption spectrum of the reduced form of the polymer is observed on irradiation from the electrolyte side of a 0.7 μm thick film. In contrast, for irradiation from the electrode side, the photocurrent is lower and the spectrum shows a peak at lower energy. These results were interpreted in terms of a delocalized space charge zone, different kinetics for charge transfer and mass transport across the solvent swollen polymer film and different depth of penetration of the light as a function of wavelength. 相似文献
142.
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钨基催化剂上钨的分散性和加氢脱氮性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用浸渍法和干混法制备了一系列负载钨的层柱分子筛催化剂 (W /Al-CLM)和对比用的负载钨的γ -Al2 O3催化剂 (W/γ -Al2 O3 )。研究了W/Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂表面上钨的分散情况 ,测定了W /Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂的吡啶加氢脱氮微反活性 ,比较了W /Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂的钨的分散性和加氢脱氮活性 ,分析了规律性。氨水处理可以溶去催化剂上所有晶相钨物种 ,改善了钨物种在载体表面上的分散性 ,催化剂上不溶于氨水并呈单层分散的表面钨物种是加氢脱氮活性中心。 相似文献
144.
报导了新型鞣剂 7-羟基全氢化唑并嗪 (以下简称 OX- Z)的合成方法。试验确定合成的最佳条件为 :在氮气保护下 ,将等摩尔量的二乙醇胺在 10℃水浴中缓慢滴入乙二醛中 ,滴加时间 0 .5 h,在 2 0℃水浴中继续反应 1.5 h,产率为 6 2 .9%。 OX- Z对浸酸绵羊皮单独鞣制 ,可使收缩温度升高到 87℃。最佳鞣制条件为 :p H10 .0 ,OX- Z用量 5 % ,鞣制时间 8h。在对 OX- Z与皮胶原的结合类型的研究中证明它们之间是以化学键结合的。 相似文献
145.
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147.
BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷,研究了SiO2-B2O3玻璃的含量,Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响,以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律,结果表明,休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高,BaF312O19相的析出越困难,前驱体合适的热处理温度为1000℃,介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降;介电损耗的最大值为0.43,磁损耗较小。 相似文献
148.
149.
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