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R. Jakkaraju G. Henn C. Shearer M. Harris N. Rimmer P. Rich 《Microelectronic Engineering》2003,70(2-4):566-570
This paper investigates the (002) texture of AlN films deposited by reactive pulsed direct current sputtering on Al, Al–Cu, W and Mo metal electrodes. X-Ray diffraction and atomic force microscopy studies show that the AlN texture is dependent on the deposition conditions and nature of the underlayers. A smooth underlayer with a sharp texture represents the best combination of properties. AlN films with a full width at half maximum less than 1.5 have been deposited on the electrodes studied. It is also possible to deposit well-textured electrodes with a roughness less than 2.5 nm. 相似文献
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84.
85.
利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的AlN陶瓷的微观结构特征,鉴别了AlN中的第二相,研究了AlN基板上薄膜(Au-Pt-Ti)和厚膜(Mo-Mn)金属化界面的结构。 相似文献
86.
分析了NH4Cl对Al粉直接氮化程度的促进作用,并采用实验的方法进行验证.实验中对NH4 Cl的含量比例进行优化,并通过XRD、SEM、XRF和EDS进行测试、分析和表征.结果表明,当铝粉与NH4Cl的质量比不同时,NH4Cl对Al粉直接氮化起到不同程度的促进作用,产物表现为不同的外观形貌、不同的含量及不尽相同的结晶情况.当Al粉与NH4Cl的质量比为9∶4时,反应产物氮化铝纳米线的含量比较多,且外观形貌最好,结晶情况最佳.最后,结合V-S机制对NH4Cl促进AlN纳米线的生长机理进行了解释. 相似文献
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通过理论计算的方法,系统分析了AlN在Hi-B钢铁素体中的析出形核机制。结果表明,第二相AlN粒子不同析出形核机制下的临界形核尺寸随着温度的降低而降低,形核机制不同,临界形核尺寸不相同,但均匀形核和晶界形核的临界形核尺寸较为接近,同一温度条件下,位错形核的临界形核尺寸最小。第二相AlN粒子以位错形核、均匀形核、晶界形核3种形核机制形核的最快析出温度分别为1 273、1 193、1 293K。同时,温度在1 293K以下时,取向硅钢中AlN在铁素体中以位错形核为主,温度高于1 293K后,AlN的形核机制以晶界形核为主。 相似文献
88.
商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。 相似文献
89.
采用真空烧结、N2保护无压烧结、放电等离子烧结等方法对AlN粉末进行烧结,研究烧结方法对粉体烧结行为以及产物物相组成、微观形貌及热导率的影响。结果表明:真空烧结会显著降低AlN材料的脱氮分解温度,无法实现其致密化;而通过N2保护无压烧结和放电等离子烧结的方法均能得到结构致密、热导率较高的AlN陶瓷,其中后者的烧结温度更低、制得陶瓷样品的致密度和热导率更高,在1650℃保温10min即可烧结得到热导率为121.5W·m-1·K-1的AlN陶瓷。 相似文献
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