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21.
22.
F.A Harraz 《Electrochimica acta》2002,47(8):1249-1257
The effect of chloride ions (Cl−) during the immersion plating of copper onto porous silicon (PS) from a methanol (MeOH) solution has been studied. The presence of Cl− in the Cu2+ solution was found to slow down the rate of copper deposition, as confirmed by inductively coupled argon plasma emission spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy measurements. The threshold concentration of Cl− at which the deposition of copper is very severely diminished was found to be 0.1 M. The inhibition effect is discussed on the basis of the rest potential values of PS and polarization curve measurements. They revealed that the rest potential of PS upon dipping in these solutions appears to direct the metal deposition. Current density-potential curves show that at Cl− concentrations higher than 0.1 M, the reduction of Cu ions proceeds in two steps; the reduction of Cu(II) to Cu(I) followed by the reduction of Cu(I) to Cu(0). This suggests that Cu(I) species in MeOH solution can be stable over a certain potential range and this stability of Cu(I) is responsible for the inhibition of metal deposition. Fourier transform infrared spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM) were also performed to investigate the structural changes and characterizations of PS samples after the plating process. 相似文献
23.
本文讨论了非硅微机械工艺和微绞链的研制工艺。我们研制的非硅表面微机械工艺采用两次或三次掩模电镀层,聚酰亚胺和光刻胶分别作为底层和第二、第三层的牺牲层。用这套工艺,研制成功了三种不同种类的微绞链。微绞链能在基片表面作0—180度自由转动。 相似文献
24.
Argon plasma-pretreated polyimide (PI, Kapton® HN) films were subjected to UV-induced surface graft copolymerization with N,N′-(dimethylamino)ethyl methacrylate (DMAEMA) and 2-(trimethylammonium)ethyl methacrylate chloride (TMMAC). The DMAEMA graft-copolymerized PI (DMAEMA-g-PI) surfaces were also quaternized and amino-functionalized with 3-bromopropylamine hydrobromide (the Q-DMAEMA-g-PI surfaces). The surface composition and the degree of quaternization of the graft-modified PI films were determined by X-ray photoelectron spectroscopy. The DMAEMA-g-PI, Q-DMAEMA-g-PI and TMMAC graft-copolymerized PI (TMMAC-g-PI) surfaces can be activated directly by PdCl2, in the absence of prior sensitization by SnCl2 (the ‘Sn-free’ activation process), for the subsequent electroless plating of copper. A shorter induction time for the electroless deposition of copper was found for the palladium-activated Q-DMAEMA-g-PI and TMMAC-g-PI surfaces than for the palladium-activated DMAEMA-g-PI surface. The T-peel adhesion strength of the electrolessly deposited copper with the Q-DMAEMA-g-PI surface was enhanced to above 6 N/cm, in comparison to only about 4 N/cm for the DMAEMA-g-PI surface, about 2.5 N/cm for the TMMAC-g-PI surface, or about 0.5 N/cm for the PI surface with argon plasma treatment alone. 相似文献
25.
26.
烧结钕铁硼永磁体的镍及镍磷合金镀层 总被引:3,自引:0,他引:3
综述了钕铁硼永磁体材料的表面电镀镍及化学镀镍磷合金的研究进展,提出了从铵铁硼材料的特殊性来选择恰当的前处理和镀覆工艺,就有获得优质的保护镀层。 相似文献
27.
28.
分析了真空离子镀的基本原理,研究了NbFeB永磁合金表面离子镀Cu-Al-In三元仿金合金的新工艺。合金镀层晶粒较小,均匀美观,光泽柔和;合理的工艺条件为:偏压200V,主弧电流5A±0.25A,间距120mm,加热功率11kW,氩气分压1.33Pa~0.0133Pa,时间30min。 相似文献
29.
化学镀Ni-Cu-P合金的工艺及镀层性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
探讨了化学镀Ni-Cu一P合金的镀液组成及工艺条件,并采用X射线衍射和弯曲法,研究了Ni-Cu-P镀层的组织结构和镀层结合力,结果表明,所研究的镀液组成,在适当工艺条件下,能够实现Ni、Cu离子的共沉积,并得到良好质量的合金镀层。经400℃热处理,镀层中有和相析出,同时硬度达到最大值。镀态下,该镀层具有良好的结合力,且随镀层中铜含量的增加和热处理温度的提高,镀层结合力能得到进一步改善。 相似文献
30.
新型合金代铬刷镀层的组织及强化机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用X射线衍射仪,透射电镜和扫描隧道显微镜等手段对新型代铬镀层(Ni-Fe-W-P-S)相结构及组织进行了研究,并初步探讨了镀层的强化机理。研究表明,Ni-Fe-W-P-S合金镀层的组织是由含Fe、W、P、S的镍基固溶体和在其上弥散分布的金属间化合物Ni_3Fe所组成,镍基固溶体处于非晶和微晶的混合状态,合金镀层的镀态硬度为HV700~750,在300℃退火时。硬度达到最大值HV900~950,其强化机理主要是微晶的晶界强化和Ni_3Fe的弥散强化。 相似文献