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41.
阐述了低压电容器装置运行的布置、参数调节、投切方式、安装容量、额定电压的选择以及电容器装置运行对电网产生的影响;分析了低压电容器装置相移角、起动电流的选择,总结了维修故障分析、日常巡检及注意事项,以提高电网的功率因数,实现节约电能,改善电网的电能质量。  相似文献   
42.
43.
研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。  相似文献   
44.
We propose an analytical model to evaluate the lightpath blocking performance for a single ROADM node with intra-node add/drop contention,in which the number of lightpaths that can be added/dropped with the same wavelength is limited by the add/drop contention factor.Different models of traffic load per nodal degree are considered to validate the effectiveness of the analytical model.The simulation results show that the proposed analytical model is effective in predicting the performance for different values of add/drop contention factor C and for variable offered loads at the node.The add/drop contention factor shows an important impact on the lightpath blocking performance and properly raising the contention factor can significantly improve the lightpath blocking performance.When the add/drop contention factor C exceeds a certain level,the performance of a ROADM with intra-node contention is close to that of a contentionless ROADM.  相似文献   
45.
《Planning》2015,(4)
提出了一种基于国产密码算法的身份认证方案。方案中的关键数据用SM2加密保护,引入随机数保证发送中间认证信息的时间具有无规律性。方案克服了传统方案存在的常见安全漏洞,可以更有效地抵御窃取信息攻击和劫取连接攻击,并保留了传统方案的安全特性,可以适用于安全性需求较高的场合。  相似文献   
46.
本文采用气相色谱/质谱/选择离子监测法测定了26个烟用水基胶中新型增塑剂(TBC、ATBC、DEDB),结果表明烟用水基胶中新型增塑剂的GC/MS测定,一方面提高了烟用水基胶的质量监控,另一方面对于烟用水基胶的质量稳定性控制具有重要意义。  相似文献   
47.
《伺服控制》2015,(1):14-14
随着全新的采用锌合金压铸外壳的ERxxxx系列的推出,EtherCAT端子盒系统得到了进一步完善。锌合金压铸外壳使得IP67端子盒具有极高的鲁棒性,使得它们可以在极其恶劣的工业和工艺环境中使用。由于ER系列采用全封闭设计和金属表面,非常适合用于需要提高负载能力和耐久性的应用场合。ER系列是现有的采用塑料和不锈钢外壳的型...  相似文献   
48.
中国质检出版社(中国标准出版社)2014年12月第一版第一次印刷的GB/T 18508—2014《城填土地估价规程》标准有以下错误,特此更正:  相似文献   
49.
50.
将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。  相似文献   
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