镀层对引信弹簧抗力的影响

为了揭示镀层对引信弹簧抗力的影响,利用理论推导和有限元法分析了镀层材料及厚度与引信弹簧抗力的关系,并对两种方法的计算结果进行对比,最后通过实验进行验证。结果表明：对于同一种镀层材料,镀层厚度是影响引信弹簧抗力的主要因素;对于不同种镀层材料,镀层材料的屈服强度是影响弹簧抗力的主要因素。该结果说明选用合适的镀层材料及厚度对控制引信弹簧抗力非常重要。     

Tc动能弹侵彻陶瓷复合靶的仿真与试验研究

在14.5 mm制式弹弹头部采用非金属Tc材料,并与制式弹进行对比,在相同装药量的情况下,试验研究了两种弹丸对陶瓷复合靶的侵彻能力。采用ANSYS-LS/DYNA进行模拟仿真,并与试验结果对比,模拟结果与试验结果基本吻合,Tc复合弹侵彻装甲钢板形成冲塞,并在装甲钢背面有鼓包,鼓包周围有明显的裂纹。结果表明,Tc复合弹对陶瓷/钢复合靶的侵彻能力优于制式弹。     

基于AR模型的Ni-SiC镀层磨损量预测研究

采用脉冲-电沉积方法在T8钢表面制备Ni-Si C镀层,利用扫描电镜(SEM)、XRD衍射仪和磨损试验机对Ni-Si C镀层的表面形貌、组分及其磨损性能进行分析,并利用AR模型对Ni-Si C镀层的磨损量进行预测。结果表明:当脉冲占空比为40%时,采用脉冲电沉积法制备Ni-Si C镀层的表面粗糙度较小、晶粒细小、组织较均匀;经XRD分析,证实Ni-Si C镀层中Si元素的存在;AR模型能够较好的对Ni-Si C镀层磨损量进行预测,预测结果相对误差的最大值仅为3.7%。     

激光复合光幕靶测速系统设计

针对天幕靶存在不能全天候测试的缺点,文中以点状阵列激光为发射光源,两列二极管作为接收器件,设计了一套激光复合光幕靶测速系统。与普通的光幕靶测速系统相比,该系统可以实现对同一位置弹丸速度的两次测量。且利用CPLD实现对蚊虫、飞鸟,冲击波等干扰信号的剔除。经实弹测试,结果表明:该系统精度高、抗干扰能力强,且与天幕靶相比,不依赖自然光,受外界自然环境影响较小。满足靶场测试要求。     

基于时频相关性的复合常规人为干扰分析方法

在军事无线通信中,对进入接收机的干扰信号进行分析、识别并提取特征参数,以支持抗干扰决策,是通信设备有效对抗蓄意人为干扰的前提。提出了基于短时傅里叶变换(STFT)的复合常规人为干扰分析方法,首先对接收的干扰信号进行STFT变换,然后将得到的三维时频域数据进行二值化处理;最后根据不同干扰样式的时域及频域特征,对二值化的时频域数据之间的关系进行分析,分别解析出多音干扰、周期脉冲干扰、扫频干扰。理论分析和仿真结果表明,通过分类搜索算法,能够较为准确地对复合人为干扰进行解析。     

PCB&PCBA-PTH失效原因分析

介绍了一个典型的印刷电路板(PCB)失效原因分析的案例。该PCB经过波峰焊后因油墨塞孔导致孔壁断裂而失效。分析结果表明:孔壁镀层中存在的柱状结晶及镀层空洞削弱了孔铜镀层的延展性及抗拉强度,这是导致在随后的焊接工艺过程中承受不住相对较大的膨胀应力而发生孔铜镀层断裂失效的主要原因;PCB本身相对较大的膨胀系数也是导致孔铜断裂的原因之一。     

NH3/SiH4流量比对多晶硅/氮化硅复合层电池光电性能的影响研究

SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, 通过改变流量比、气体总量及基底温度等工艺参数沉积SiN薄膜, 研究了流量比对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响。实践表明, NH3/SiH4气体流量比为11.5∶1时电池材料具有最佳的光电性能。     

AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触

通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.     

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真研究

本文首次对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真。这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题。论文重点对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较。仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能。     

大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究

根据大功率半导体激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,分别利用双折射晶体和偏振合束晶体对两只大功率半导体线列阵激光器进行了偏振合束研究.依据理论计算结果,生长了双折射晶体YVO4,并进行了特殊的光路系统设计,最终实现了偏振复用,功率效率达到66%;利用偏振合束,晶体功率效率为85%.最后,从各方面比较了两种方法的优缺点.