全文获取类型
收费全文 | 3769篇 |
免费 | 34篇 |
国内免费 | 164篇 |
专业分类
电工技术 | 48篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 72篇 |
化学工业 | 833篇 |
金属工艺 | 236篇 |
机械仪表 | 261篇 |
建筑科学 | 64篇 |
矿业工程 | 46篇 |
能源动力 | 154篇 |
轻工业 | 175篇 |
水利工程 | 4篇 |
石油天然气 | 33篇 |
武器工业 | 5篇 |
无线电 | 377篇 |
一般工业技术 | 832篇 |
冶金工业 | 82篇 |
原子能技术 | 682篇 |
自动化技术 | 62篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 28篇 |
2022年 | 44篇 |
2021年 | 53篇 |
2020年 | 51篇 |
2019年 | 40篇 |
2018年 | 34篇 |
2017年 | 59篇 |
2016年 | 50篇 |
2015年 | 51篇 |
2014年 | 84篇 |
2013年 | 155篇 |
2012年 | 166篇 |
2011年 | 342篇 |
2010年 | 262篇 |
2009年 | 210篇 |
2008年 | 175篇 |
2007年 | 213篇 |
2006年 | 221篇 |
2005年 | 158篇 |
2004年 | 169篇 |
2003年 | 135篇 |
2002年 | 144篇 |
2001年 | 102篇 |
2000年 | 116篇 |
1999年 | 111篇 |
1998年 | 91篇 |
1997年 | 111篇 |
1996年 | 79篇 |
1995年 | 91篇 |
1994年 | 71篇 |
1993年 | 63篇 |
1992年 | 58篇 |
1991年 | 59篇 |
1990年 | 50篇 |
1989年 | 49篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 2篇 |
1976年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
排序方式: 共有3967条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
22.
I. W. Hall 《Materials Characterization》1997,39(2-5):419-434
The effects of ion implantation and subsequent annealing on the microstructure of molybdenum have been investigated by transmission electron microscopy. The ions investigated were carbon, nitrogen, and tellurium. The ion-induced damage was found to give rise to grain boundary migration phenomena both during implantation and during subsequent annealing. Precipitation or ordering was found to occur for each ion on annealing. 相似文献
23.
特征X射线能谱法测定Fe^+注入小麦种子的深度 总被引:5,自引:2,他引:3
用110keV Fe^+离子束垂直注入小麦种胚后,在扫描电子显微镜上沿种子纵沟剖面,在不同深度上测量Fe元素被激发出的特征X射线强度分布,结果表明分布呈指数衰减,与晶体中的热扩散分布相类似,并对此进行了讨论。 相似文献
24.
本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。 相似文献
25.
F. D. McDaniel B. L. Doyle C. H. Seager D. S. Walsh G. Vizkelethy D. K. Brice C. Yang P. Rossi M. Nigam M. El Bouanani G. V. Ravi Prasad J. C. Schwartz L. T. Mitchell J. L. Duggan 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms》2002,190(1-4):1-10
A new ion beam analysis-based, single ion technique called the time to first photon has been developed to measure the decay of the luminescence signal of phosphors. Such measurements are currently needed to study luminescence decay mechanisms following high-density excitations and to identify strongly luminescent phosphor coatings with short lifetimes for ion photon emission microscopy (IPEM). The samples for this technique consist of thin phosphor layers placed or coated on the surface of PIN diodes. Single ions from an accelerator strike this sample and simultaneously create ion beam induced luminescence (IBIL) from the phosphor that is measured by a single-photon-detector, and an ion beam induced charge collection (IBICC) signal in the PIN diode. In this case, the IBICC signal provides the start pulse and the IBIL signal the stop pulse to a time to amplitude converter. It is straightforward to show that this approach also measures a signal proportional to activity versus time with an accuracy of 5% as long as the number of detected photons per ion is less than 0.1, which usually requires the use of absorbers for the IBIL detector or electronic discrimination for the IBIL signals. Details of the new analysis are given together with examples of luminescence decay measurements of several ceramic phosphors being considered to coat IPEM samples. IPEM is currently being developed at Sandia National Laboratory (SNL), the University of North Texas in Denton, and the Universities and INFN of Padova and Torino. 相似文献
26.
T. D. M. Weijers H. Timmers R. G. Elliman 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms》2002,190(1-4):397-401
The impact of the pulse height deficit effect in gas ionization detectors on the accurate extraction of depth information from heavy ion elastic recoil detection spectra has been investigated. Thin GaN films and GexSi1−x/Si heterostructures have been analyzed with a 200 MeV 197Au beam. Employing an empirical parameterisation of the pulse height deficit, a global energy calibration of the detector can be achieved. Energy spectra have been compared, calibrated with either a constant or a full energy-dependent compensation for the deficit. A constant compensation results in significant distortion of the extracted depth profile for heavier ions, whereas an energy-dependent compensation yields true concentration–depth profiles. 相似文献
27.
A. Edwards Mulpuri V. Rao B. Molnar A. E. Wickenden W. Holland P. H. Chi 《Journal of Electronic Materials》1997,26(3):334-339
Doping by ion implantation using Si, O, Mg, and Ca has been studied in single crystal semi-insulating and n-type GaN grown
on a-sapphire substrates. The n-and p-type dopants used in this study are Si and O; Mg and Ca, respectively. Room temperature
activation of Si and O donors has been achieved after 1150°C annealing for 120 s. The activation of Mg and Ca acceptors is
too low to measure at both room temperature and 300°C. Using higher doses to achieve a measurable p-type conduction increases
the amount of damage created by the implantation. Rutherford back scattering measurements on this material indicate that the
damage is still present even after the maximum possible heat treatment. Secondary ion mass spectrometry measurements have
indicated a redistribution in the measured profiles of Mg due to annealing. 相似文献
28.
GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献
29.
胡才雄 《有色金属材料与工程》1994,15(1):31-36
本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术:机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展,作了详细的评述。 相似文献
30.
己二酸二乙酯合成新工艺的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文以离子交换树脂作为液固相酯化反应的催化剂 ,甲苯作为带水剂 ,合成己二酸二乙酯。应用本法 ,酯化反应产率高达 78%。同时对影响产率的诸因素进行了考察 ,其最佳反应条件为 :酸醇摩尔比 1∶4 ,催化剂用量为酸质量的 2 5 % ,反应时间为 10小时 ,反应温度 86~ 87℃ ,催化剂重复使用 4次 ,未出现活性明显下降 ,此工艺操作简单 ,反应条件温和 ,产率高 ,具有显著的工业应用价值。 相似文献