非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

低掺杂浓度Nd:YVO4激光器的输出特性研究

在对Nd:YVO_4晶体的掺杂浓度和晶体长度对激光器性能的影响进行了分析后,报道了利用掺杂浓度为0.3at％,通光长度为10mm的Nd:YVO_4晶体作为增益介质,带光纤耦合的激光二极管端面抽运的Nd:YVO_4激光器。在抽运功率为27.365W时,获得了14.85W的TEM_(00)模输出,光一光转换效率为60.49％,斜效率达64.5％。     

Bi3+对纳米MnO2水热合成的影响研究

在中性和酸性条件下，以MnO2作为锰源，通过水热合成了纳米MnO2，通过XRD和TEM对产物进行的观察表明，在酸性条件下，向溶液中添加一定量的Bi^3 ，产物的晶型由α型向γ型转化，产物形貌由针状、丝状向颗粒状转变。     

镨掺杂分布对1.3μm光纤放大器特性影响

对掺氟化镨玻璃光纤放大器的小信号增益，用广义的高斯近似公式可获得精确的分析表达。文中研究了限制光纤芯层中央部分的镨掺杂对光纤放大器特性的影响，结果发现限制镨掺杂分布能改进光纤放大器的工作效率，且截止波长比芯层全部均匀掺镨的光纤更长。     

TiO_2压敏陶瓷晶粒半导化

本文主要研究 TiO_2陶瓷晶粒半导化的途径及晶粒电阻率的测试方法。实验结果表明,通过掺入Nb_2O_5施主杂质可以有效地降低晶粒电阻率,并使 TiO_2系陶瓷具有良好的压敏特性。     

a—Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数

证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由ａ－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计算。