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81.
本文研究了Makrofol KG膜的总体蚀刻特性。研究结果表明,体蚀刻速度与蚀刻温度遵守Arr-henius方程V_b=a·e~(-E/KT),其中,体激活能E=0.66±0。02eV。体蚀刻速度与蚀刻浓度的关系为V_b=an~b,在1—10mol/l NaOH溶液中,b=2.02。 相似文献
82.
双E形结构硅压力传感器的研制 总被引:2,自引:1,他引:2
介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。借助于这种硅芯片与不同厚度的封孔膜结合 ,制成了灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器 相似文献
83.
84.
MXene是一类新型碳/氮化物二维纳米层状材料,一般是利用化学刻蚀的手段通过选择性刻蚀掉前驱体MAX相中的A原子层而得到.其通式可表示为Mn+1XnTx,其中M代表早期过渡族金属,X代表碳和/或氮,Tx代表MXene在刻蚀过程中产生的附着在其表面的官能团(-OH、-F、=O、等).采用一定的手段将多层MXene剥落,可获得类石墨烯形貌的单层MXene.MXene除了具备传统二维材料的性能外,还兼具良好的导电性、亲水性、透光性、柔韧性以及能量储存性能,在复合材料、润滑剂、环境污染治理、电池、电容器、催化、传感器、抗菌等领域具有潜在的应用价值.文章总结了MXene的制备、结构、性能和应用等方面的最新成果,并展望了其今后的研究方向. 相似文献
85.
以金刚线切割多晶硅为原料,研究不同纳米金属催化剂(银、铜)辅助化学刻蚀对纳米结构引入及多晶硅片表面制绒效果的影响。研究结果表明:不同纳米金属物种诱导刻蚀对硅片表面形貌结构的影响巨大,相比于纳米银辅助刻蚀形成的硅纳米线阵列结构而言,纳米铜辅助刻蚀形成的倒金字塔结构在各方面的性能均比较突出,大面积微尺度的倒金字塔阵列结构可以更完美地融合表面低反射率和钝化不佳之间的矛盾,且硅片表面切割纹去除效果明显。当金属铜辅助化学刻蚀制绒15 min时,倒金字塔结构最规则、均匀,且在300~1 100 nm波段范围内,反射率由原片的41.8%降低至5.8%。同时倒金字塔形貌具有优越的减反效果和去除切割纹能力,使得制绒金刚线切割多晶硅片有望用来制备高效率的太阳能电池。 相似文献
86.
通过扫描电镜(SEM)观察了气体辅助注射成型(GAIM)和常规注射成型(CIM)高密度聚乙烯(HDPE)的结晶形态,发现CIM试样为区分不明显的皮芯结构,而GAIM试样形成了包括球晶、串晶和取向片晶的多层结构.且GAIM试样球晶尺寸显著小于CIM制品.在结晶形态分析的基础上,初步探讨了气体辅助注射成型制品结晶形态的形成机理. 相似文献
87.
Samuel J. Moseley Christine A. Allen Nicholas Costin Richard Kelley Caroline Kilbourne Timothy Miller 《Journal of Low Temperature Physics》2008,151(1-2):418-423
We have developed an automated die-scale process for the attachment of X-ray absorbers onto microcalorimeters. Here, we describe
the process for the production of absorber tiles on a handle wafer, their attachment to the microcalorimeter, and the removal
of the supporting handle wafer. The process is shown to be a robust path to large format arrays of microcalorimeters.
相似文献
88.
89.
{110} surfaces of CaF2 crystals are etched with different concentrations of HCl. It is found that concentrated HCl produces characteristic rectangular
pyramidal etch pits and 2 volume percent HCl produces boat shaped etch pits. Such variations in the etch pit shapes on {110}
surfaces of CaF2 crystals with different concentrations of HCl have been explained. Concentrated H2SO4 is found to be a suitable chemical polisher for these surfaces, the polishing rate is about 0·1μ/min. 相似文献
90.