Effect of High-Density Plasma Process Parameters on Carrier Transport Properties in <Emphasis Type="Italic">p</Emphasis>-to-<Emphasis Type="Italic">n</Emphasis> Type Converted Hg<Subscript>0.7</Subscript>Cd<Subscript>0.3</Subscript>Te Layer

Exposure of p-type HgCdTe material to Ar/H₂-based plasma is known to result in p-to-n conductivity-type conversion. While this phenomenon is generally undesirable when aiming to perform physical etching for device delineation and electrical isolation, it can be used in a novel process for formation of n-on-p junctions. The properties of this n-type converted material are dependent on the condition of the plasma to which it is exposed. This paper investigates the effect of varying the plasma process parameters in an inductively coupled plasma reactive ion etching (ICPRIE) tool on the carrier transport properties of the p-to-n type converted material. Quantitative mobility spectrum analysis of variable-field Hall and resistivity data has been used to extract the carrier transport properties. In the parameter space investigated, the n-type converted layer carrier transport properties and depth have been found to be most sensitive to the plasma process pressure and temperature. The levels of both RIE and ICP power have also been found to have a significant influence.     

电磁波在等离子体中的热致非线性衰减

研究了电磁波对等离子体进行加热所产生的非线性效应,分析了电磁波在等离子体中传播的热致非线性衰减,通过与线性衰减的计算结果进行比较,指出当电磁波频率较低且传输距离较远时线性计算产生较大误差,必须考虑电子温度升高引起的非线性衰减,并且分析了非线性衰减随频率、入射电波场强、传输距离等的变化关系,指出在一定条件下,电波对等离子体的加热可使电波的非线性衰减小于线性衰减。     

等离子（水介质）切焊机逆变电路的研制

逆变电路在等离子（水介质）切焊机中具有重要作用。通过逆变电路的整流和稳流,实现可调整的、稳定的功率输出是研制的重点。实际测试表明,本电路能使等离子水介质切焊机稳定持续地工作。     

非制冷红外焦平面阵列读出电路的BCB牺牲层接触平坦化(英文)

研究了一种基于BCB材料的牺牲层接触平坦化技术,用于红外焦平面阵列Post CMOS工艺之前对读出电路表面的平坦化,以利于微测辐射热计微桥阵列与读出电路的集成。利用该方法成功将2μm的电路表面突起,平坦化为表面起伏56 nm的平面,可替代会给器件带来颗粒和损伤的化学机械抛光(CMP)技术。并在该平坦层上方成功进行了非晶硅敏感薄膜的沉积、微桥结构的图形化以及同时作为牺牲层的BCB的释放。通过实验研究了BCB膜层的厚度与转速、固化温度的关系,实验发现BCB的收缩率随温度小范围变化,约为30%。研究了BCB的等离子刻蚀特性,表明该材料适合用等离子刻蚀的方法进行接触孔的刻蚀和牺牲层释放。最后,利用BCB牺牲层接触平坦化技术成功地在读出电路(ROIC)芯片上制作了160×120面阵的非制冷红外焦平面阵列。     

煅烧温度和恒温时间对ZnO/AAO/Si组装体系的影响

以AAO/Si为模板,采用化学气相沉积(CVD)的方法在不同温度下,通过煅烧Zn粉和C粉的混合物制备ZnO/AAO/Si组装体系,并对其结构和性质进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明:随着煅烧温度的升高,AAO表面的孔洞逐渐被封堵,当温度达到900℃时,在AAO的表面出现了一层ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示,700℃时在XRD图谱上观看到六角纤锌矿的ZnO的衍射峰,并且随着温度的升高,ZnO的衍射峰逐渐增强,当温度升至800和900℃时出现了ZnAl2O4的衍射峰。因此,化学气相沉积制备组装体系时的最适温为700℃。在700℃时煅烧不同恒温时间制备的ZnO/AAO/Si组装体系SEM图显示,随着恒温时间的延长,孔的封闭效应逐渐明显。     

航天反射镜材料SiC

航天反射镜材料的一些优选性质包括密度低、弹性模量高、热膨胀系数低及热传导率高。与传统光学材料相比,碳化硅(SiC)具有优异的机械和热性能,被认为是引入注目的反射镜材料。本文概述了SiC的基体成形工艺和机械精加工工艺,讨论了其优缺点,并概述了国内外的发展现状。     

低频Alfvén波谱与冷等离子体的非共振作用研究

本文讨论了低频率Alfvén波谱与冷等离子体的非线性相互作用。研究表明,对于多个低频Alfvén波,在波的振幅相对于背景磁场较小时,随着时间的增加,粒子动理学温度的各向异性会降低;随着振幅的增加,平行方向的动理学温度不断升高,且在A2=0.1处,平行方向的动理学温度将超过垂直方向的动理学温度。     

Plasma etching of copper films at low temperature

Experimental verification of a low temperature (<20 °C), reactive plasma etch process for copper films is presented. The plasma etch process, proposed previously from a thermochemical analysis of the Cu-Cl-H system, is executed in two steps. In the first step, copper films are exposed to a Cl₂ plasma to preferentially form CuCl₂, which is volatilized as Cu₃Cl₃ by exposure to a H₂ plasma in the second step. Plasma etching of thin films (9 nm) and thicker films (400 nm) of copper has been performed; chemical composition of sample surfaces before and after etching has been determined by X-ray photoelectron and flame atomic absorption spectroscopies.     

对地观测的微波散射成像方法

以微波为探测手段进行对地成像观测,能够全天候、全天时工作,在许多技术领域得到了重要应用,对微波成像的新思想、新体制、新技术的探索,也是一个非常活跃的研究领域。该文提出了一种新的微波成像方法,称为微波散射成像方法,该方法可采用收发分置工作方式,工作时只需要以单色波照射待成像地域。原理性成像模拟结果表明,使用这种方法可以获得被观测地域高几何分辨率和高辐射分辨率的微波图像。     

微波半导体功率器件及其应用(第二部分)

本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。